[发明专利]EFUSE的烧写方法、EFUSE烧写电路与电子装置有效
申请号: | 202011074264.3 | 申请日: | 2020-10-09 |
公开(公告)号: | CN112152594B | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
发明(设计)人: | 朴珉晧 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H03K5/01 | 分类号: | H03K5/01 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | efuse 方法 电路 电子 装置 | ||
本申请提供了一种EFUSE的烧写方法、EFUSE烧写电路与电子装置。该烧写方法包括:生成烧写电压,烧写电压大于或者等于EFUSE的熔断电压;采用烧写电压对EFUSE进行烧写。本方案首先生成烧写电压,然后采用烧写电压对EFUSE进行烧写,由于EFUSE进行烧写大于或者等于EFUSE的熔断电压,所以可以保证待烧写的EFUSE全部烧写成功,避免了在EFUSE烧写不成功的情况下,重新调整烧写电压的问题,提高了EFUSE的烧写效率,且保证了EFUSE烧写的成功率。
技术领域
本申请涉及EFUSE烧写领域,具体而言,涉及一种EFUSE的烧写方法、EFUSE烧写电路与电子装置。
背景技术
现有的EFUSE烧写技术中,一般采用仪器设备产生一定电压幅值的脉冲信号,作为EFUSE烧写电压实现对EFUSE的烧写,一但EFUSE烧写失败,需要重新调整脉冲信号的幅值,EFUSE的烧写效率较低。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种EFUSE的烧写方法、EFUSE烧写电路与电子装置,以解决现有技术中EFUSE烧写效率较低的问题。
为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种EFUSE的烧写方法,包括:生成烧写电压,所述烧写电压大于或者等于EFUSE的熔断电压;采用所述烧写电压对所述EFUSE进行烧写。
进一步地,生成烧写电压,包括:实时检测所述EFUSE是否被熔断;在检测到所述EFUSE被熔断的情况下,确定所述烧写电压大于或者等于所述EFUSE的所述熔断电压;在检测到所述EFUSE不被熔断的情况下,增加所述烧写电压的幅值,直到所述EFUSE被熔断。
根据本申请的又一个方面,提供了一种EFUSE烧写电路,包括:脉冲整形器,具有第一输入端和输出端,所述脉冲整形器的第一输入端用于输入脉冲信号,所述脉冲信号的幅值为第一电压,所述脉冲整形器的输出端用于输出烧写电压,所述烧写电压用于对EFUSE进行烧写,所述烧写电压的幅值为第二电压,所述第二电压大于或者等于所述EFUSE的熔断电压。
进一步地,所述EFUSE烧写电路还包括:检测单元,分别与所述脉冲整形器和EFUSE电连接,用于实时检测所述EFUSE是否被熔断。
进一步地,所述脉冲整形器还具有第二输入端和第三输入端,所述第二输入端用于输入控制信号,所述控制信号为电压递增式信号或者电压递减式信号,所述第三输入端用于输入时钟信号,所述脉冲整形器根据所述控制信号和所述时钟信号对所述脉冲信号整形,输出所述烧写电压。
进一步地,所述脉冲整形器包括:逻辑门,所述逻辑门的输入端用于输入所述控制信号和所述时钟信号;开关单元,所述开关单元的输入端与所述逻辑门的输出端电连接,所述开关单元的输出端输出运算信号,所述逻辑门的输出端的输出信号用于控制所述开关单元的打开和关闭,所述运算信号随所述开关单元的状态地变化而变化;加法器,具有第一输入端、第二输入端和输出端,所述加法器的第一输入端输入为所述脉冲整形器的第一输入端,所述加法器的第二输入端输入与开关单元的输出端电连接,所述加法器的输出端为所述脉冲整形器的输出端。
进一步地,所述开关单元包括MOS管和/或BJT。
进一步地,所述逻辑门包括与非门和与门,所述开关单元包括P型MOS管和N型MOS管,所述与非门的第一输入端用于输入所述时钟信号,所述与非门的第二输入端用于输入所述控制信号,所述控制信号为所述电压递增式信号,所述与非门的输出端与所述P型MOS管的栅极电连接,所述P型MOS管的源极与电源端电连接,所述P型MOS管的漏极与所述N型MOS管的漏极电连接,所述与门的第一输入端用于输入所述时钟信号,所述与门的第二输入端用于输入所述控制信号,所述控制信号为所述电压递减式信号,所述与门的输出端与所述N型MOS管的栅极电连接,所述N型MOS管的源极接地,所述P型MOS管的漏极输出所述运算信号。
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