[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储块；

电压发生电路，所述电压发生电路被配置为以使用内部电压生成操作电压的第一模式或使用外部电压生成所述操作电压的第二模式操作，并且将所述操作电压提供给所述存储块；以及

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为测量并且存储在所述第一模式下所述操作电压上升到目标电平的第一上升时间，并且控制所述电压发生电路以使得在所述第二模式下所述操作电压上升到所述目标电平的第二上升时间等于或长于所述第一上升时间。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述电压发生电路包括：

内部电压发生器，所述内部电压发生器被配置为生成所述内部电压；

可变电阻电路，所述可变电阻电路被配置为从外部装置接收所述外部电压并且然后输出输入外部电压，其中，基于预设的电阻值来控制输出电流的量；以及

选择器，所述选择器被配置为响应于与所述第一模式或所述第二模式相对应的模式信号而输出所述内部电压或所述输入外部电压。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述可变电阻电路响应于多个修整信号而改变所述电阻值。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为：当所述第二上升时间短于所述第一上升时间时，生成并输出用增大所述可变电阻电路的所述电阻值的所述多个修整信号。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑包括：

上升时间测量电路，所述上升时间测量电路被配置为接收所述第一模式下的所述操作电压并测量所述操作电压上升到所述目标电平的所述第一上升时间，并且接收所述第二模式下的所述操作电压并测量所述操作电压上升到所述目标电平的所述第二上升时间；

第一寄存器，所述第一寄存器被配置为存储由所述上升时间测量电路测量到的所述第一上升时间；以及

修整信号发生器，所述修整信号发生器被配置为将所述第一寄存器中存储的所述第一上升时间与由所述上升时间测量电路测量到的所述第二上升时间进行比较，并且基于所述比较的结果来生成所述多个修整信号。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述修整信号发生器基于所述第一上升时间与所述第二上升时间之间的差来生成所述多个修整信号。

7.根据权利要求3所述的存储器装置，该存储器装置还包括：

读/写电路，所述读/写电路联接到所述存储块并被配置为执行测试编程操作和测试读取操作；以及

失败位计数器，所述失败位计数器被配置为对作为所述测试读取操作的结果而读取的读取数据中的失败位的数量进行计数并且然后生成失败位计数。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为：

控制所述电压发生电路以使得在所述第一模式下生成的所述操作电压被提供给所述存储块，

控制所述读/写电路以使得在所述第一模式下执行所述测试编程操作和所述测试读取操作，

控制所述失败位计数器以使得在所述第一模式下对所述读取数据中的失败位的数量进行计数并然后生成第一失败位计数，并且

接收并存储所述第一失败位计数。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为：

控制所述电压发生电路以使得在所述第二模式下生成的所述操作电压被提供给所述存储块，

控制所述读/写电路以使得在所述第二模式下执行所述测试编程操作和所述测试读取操作，

控制所述失败位计数器以使得在所述第二模式下对所述读取数据中的失败位的数量进行计数并然后生成第二失败位计数，并且

通过将所述第一失败位计数与所述第二失败位计数进行比较来生成所述多个修整信号。