[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

本文提供了存储器装置及其操作方法。该存储器装置可以包括：存储块；电压发生电路，其被配置为以使用内部电压生成操作电压的第一模式或使用外部电压生成操作电压的第二模式操作，并且将操作电压提供给存储块；以及控制逻辑，其被配置为测量并且存储在第一模式下操作电压上升到目标电平的第一上升时间，并且控制电压发生电路以使得在第二模式下操作电压上升到目标电平的第二上升时间等于或长于第一上升时间。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及存储器装置及操作该存储器装置的方法，并且更具体地涉及能够使用外部电压来生成操作电压的存储器装置及操作该存储器装置的方法。

背景技术

半导体存储器装置是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)之类的半导体实施的存储器装置。半导体存储器装置可以分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置是当电力供应中断时丢失所存储的数据的存储器装置。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储器装置是即使电力供应中断也保留所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪存可以分类为NOR型和NAND型。

发明内容

本公开的各种实施方式涉及当执行使用外部电压生成操作电压的操作时能够提高存储器装置的可靠性的存储器装置和操作该存储器装置的方法。

本公开的实施方式可以提供一种存储器装置。该存储器装置可以包括：存储块；电压发生电路，其被配置为以使用内部电压生成操作电压的第一模式或使用外部电压生成操作电压的第二模式操作，并且将操作电压提供给存储块；以及控制逻辑，其被配置为测量并且存储在第一模式下操作电压上升到目标电平的第一上升时间，并且控制电压发生电路，使得在第二模式下操作电压上升到目标电平的第二上升时间等于或长于第一上升时间。

本公开的实施方式可以提供一种操作存储器装置的方法。该方法可以包括：执行使用内部电压生成操作电压的第一模式操作；在第一模式操作期间，测量操作电压上升到目标电平的第一上升时间；执行使用外部电压生成操作电压的第二模式操作；在第二模式操作期间，测量操作电压上升至目标电平的第二上升时间；以及将第一上升时间与第二上升时间进行比较，以及基于比较的结果保持或增加第二上升时间。

本公开的实施方式可以提供一种操作存储器装置的方法。该方法可以包括：执行使用内部电压生成操作电压的第一模式操作；在第一模式操作期间执行测试编程操作和测试读取操作；在第一模式操作期间，对作为测试读取操作的结果而读取的第一读取数据中的失败位的数量进行计数，然后生成第一失败位计数；执行使用外部电压生成操作电压的第二模式操作；在第二模式操作期间执行测试编程操作和测试读取操作；在第二模式操作期间，对作为测试读取操作的结果而读取的第二读取数据中的失败位的数量进行计数，然后生成第二失败位计数；以及将第一失败位计数与第二失败位计数进行比较，并且基于比较的结果来调整被配置为在第二模式操作中接收外部电压的接收电路的电阻值。

本公开的实施方式可以提供一种操作存储器装置的方法。该方法可以包括：使用内部电压执行第一测试编程操作；测量已经执行了第一测试编程操作的存储器单元的第一阈值电压分布；使用外部电压执行第二测试编程操作；测量已经执行了第二测试编程操作的存储器单元的第二阈值电压分布；将第一阈值电压分布与第二阈值电压分布进行比较；以及基于比较的结果，调整被配置为接收外部电压的接收电路的电阻值。

附图说明

图1是例示根据本公开的实施方式的存储器系统的图。

图2是例示图1的存储器装置的图。

图3是例示图2的存储块的图。