[发明专利]一种存储芯片的性能检测方法和系统

权利要求书

1.一种存储芯片的性能检测方法，其特征在于，包括：

步骤S1：获取所述存储芯片的标识信息；

步骤S2：基于所述标识信息确定检测方案；

步骤S3：基于所述检测方案对所述存储芯片进行性能检测，输出性能检测报告；

其中，所述标识信息包括：材质、型号、容量、存储速度、工作温度、响应时间其中一种或多种结合。

2.如权利要求1所述的存储芯片的性能检测方法，其特征在于，所述步骤S2：基于所述标识信息确定检测方案；包括：

解析所述标识信息，获取所述存储芯片的所述存储速度；

所述检测方案包括以所述存储芯片的最大存储速度向所述存储芯片输入数据，通过贴附在所述存储芯片表面的温度传感器检测所述存储芯片的温度曲线；

和/或，

解析所述标识信息，获取所述存储芯片的所述存储速度；

基于所述存储速度，确定所述存储芯片的存储频率；

基于所述存储频率，确定向所述存储芯片输入数据的多个检测频率；

所述检测方案包括分别以所述检测频率向所述存储芯片输入数据，通过贴附在所述存储芯片表面的温度传感器检测所述存储芯片的温度曲线；通过确定与所述存储芯片连接的存储介质的写入频率，检测所述存储芯片的存储性能；

和/或，

解析所述标识信息，获取所述存储芯片的所述容量；

所述检测方案包括基于所述存储芯片一次存满后释放到与所述存储芯片连接的存储介质中的数据容量，基于所述数据容量与所述容量的比值确定所述存储芯片的容量性能；

和/或，

解析所述标识信息，获取所述存储芯片的所述响应时间；

基于所述响应时间，查询预设的响应时间与第一频率曲线的对照表确定第一频率曲线函数；

所述检测方案包括以第一频率曲线函数确定的输入频率向所述存储芯片输入数据，通过确定与所述存储新平连接的存储介质的写入频率的第二频率曲线，基于所述第一频率曲线与所述第二频率曲线的相位差确定所述所述存储芯片的实测响应时间，基于所述实测响应时间与所述标识信息中的所述响应时间的比值检测所述存储芯片的响应性能；

和/或，

解析所述标识信息，获取所述存储芯片的所述材质和/或所述型号；

基于所述材质和/或所述型号，查询预设的所述材质和/或所述型号与加压测试方案对照表，确定加压测试方案；所述加压测试方案包括：加压时间、加压压力和加压温度中一种或多种结合；

所述检测方案包括基于所述加压测试方案，检测所述存储芯片的耐压性能；

和/或，

解析所述标识信息，获取所述存储芯片的所述材质和/或所述型号；

基于所述材质和/或所述型号，查询预设的所述材质和/或所述型号与震动测试方案对照表，确定震动测试方案；所述震动测试方案包括：震动时间、震动频率和震动幅度中一种或多种结合；

所述检测方案包括基于所述震动测试方案，检测所述存储芯片的抗震性能；

和/或，

解析所述标识信息，获取所述存储芯片的所述材质和/或所述型号；

基于所述材质和/或所述型号，查询预设的所述材质和/或所述型号与环境模拟测试方案对照表，确定环境测试方案；所述环境测试方案包括：测试时间、测试温度曲线、温度循环次数一种或多种结合；

所述检测方案包括基于所述环境测试方案，检测所述存储芯片的环境耐受性能。