[发明专利]一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件

权利要求书

1.一种基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其特征在于，包括LCP基板、微带低通滤波器及低噪声放大器：

所述LCP基板包括若干LCP板和若干半固化片，若干所述LCP板之间分别通过所述半固化片压合连接，将位于两端的所述LCP板分别定义为上LCP板和下LCP板，所述上LCP板的上表面开设有凹形的容置腔，所述容置腔的深度至所述下LCP板的上表面；

所述微带低通滤波器包括第一金属镀层和第二金属镀层，所述第一金属镀层覆于所述上LCP板的上表面，所述第一金属镀层的图形与所述微带低通滤波器微带走线一致，所述第二金属镀层覆于所述下LCP板的下表面，作为低通滤波器微波地；

所述低噪声放大器固定安装于所述容置腔内，所述容置腔的底部设置有若干贯通所述下LCP板的接地孔，用于所述低噪声放大器的接地，所述低通滤波器与所述低噪声放大器之间通过导线互连；

所述柔性低噪声放大组件可以在不同曲率下弯曲。

2.根据权利要求1所述的基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其特征在于，所述低噪声放大器为GaAs裸芯片。

3.根据权利要求2所述的基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其特征在于，所述低噪声放大器还包括钼铜载片，所述钼铜载片固定安装于所述容置腔的底部，所述GaAs裸芯片固定安装于所述钼铜载片的上表面。

4.根据权利要求3所述的基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其特征在于，所述钼铜载片通过环氧粘接于所述容置腔的底部，所述GaAs裸芯片通过环氧粘接于所述钼铜载片的上表面。

5.根据权利要求3所述的基于LCP基板的柔性低噪声放大组件，其特征在于，所述低通滤波器与所述低噪声放大器之间通过金丝键合互连。