[发明专利]GOA电路及显示面板有效
申请号: | 202011079809.X | 申请日: | 2020-10-10 |
公开(公告)号: | CN112053655B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 曹海明;田超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | goa 电路 显示 面板 | ||
1.一种GOA电路,其特征在于,包括N个级联的GOA单元,N为正整数,每一级所述GOA单元包括上拉控制模块、上拉模块和下拉模块;
所述上拉控制模块接入第N-2级扫描信号和第一恒压高电位,并连接第一节点,用于在所述第N-2级扫描信号的控制下,将所述第一节点的电位上拉至所述第一恒压高电位;
所述上拉模块接入第N条时钟信号和第二恒压高电位,并连接所述第一节点,用于在所述第一节点的控制下,利用所述第N条时钟信号使第N级扫描信号输出所述第二恒压高电位,其中,所述第二恒压高电位大于所述第一恒压高电位;
所述下拉模块接入第N+2条时钟信号、第一恒压高电位、恒压低电位和第N级扫描信号输出端,并连接所述第一节点,用于在所述第一恒压高电位的控制下,利用所述第N+2条时钟信号将所述第一节点和所述第N级扫描信号输出端的电位下拉至所述恒压低电位。
2.如权利要求1所述的GOA电路,其特征在于,所述上拉控制模块包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第N-2级扫描信号输出端,所述第一薄膜晶体管的源极接入所述第一恒压高电位,所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点。
3.如权利要求1所述的GOA电路,其特征在于,所述上拉模块包括第二薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第九薄膜晶体管和第一电容;
所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第一节点,所述第二薄膜晶体管的源极接入所述第N条时钟信号,所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一电容的第一端,所述第一电容的第二端连接第二节点;
所述第七薄膜晶体管的栅极接入所述第一恒压高电位,所述第七薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点,所述第七薄膜晶体管的源极连接所述第二节点;
所述第九薄膜晶体管的栅极连接所述第二节点,所述第九薄膜晶体管的源极接入所述第二恒压高电位,所述第九薄膜晶体管的漏极连接所述第N级扫描信号输出端。
4.如权利要求1所述的GOA电路,其特征在于,所述下拉模块包括第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第八薄膜晶体管和第十薄膜晶体管,其中:
所述第三薄膜晶体管的栅极接入所述第一恒压高电位,所述第三薄膜晶体管的源极接入所述第N+2条时钟信号,所述第三薄膜晶体管的漏极连接第四节点;
所述第四薄膜晶体管的栅极连接所述第四节点,所述第四薄膜晶体管的源极接入所述恒压低电位,所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点;
所述第五薄膜晶体管的栅极连接第三节点,所述第五薄膜晶体管的源极接入所述恒压低电位,所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点;
所述第八薄膜晶体管的栅极连接所述第四节点,所述第八薄膜晶体管的源极接入所述第一恒压高电位,所述第八薄膜晶体管的漏极连接所述第三节点;
所述第十薄膜晶体管的栅极连接所述第三节点,所述第十薄膜晶体管的源极接入所述恒压低电位,所述第十薄膜晶体管的漏极连接所述第N级扫描信号输出端。
5.如权利要求4所述的GOA电路,其特征在于,所述GOA单元还包括节点控制模块和第二电容;
所述节点控制模块包括第六薄膜晶体管,所述第六薄膜晶体管的栅极连接所述第一节点,所述第六薄膜晶体管的源极接入所述恒压低电位,所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述第三节点;
所述第二电容的第一端接入所述恒压低电位,所述第二电容的第二端连接所述第三节点。
6.如权利要求4所述的GOA电路,其特征在于,所述GOA单元还包括全局控制模块,所述全局控制模块包括第十一薄膜晶体管、第十二薄膜晶体管和第十三薄膜晶体管;
所述第十一薄膜晶体管的栅极和漏极连接并接入第一全局控制信号,所述第十一薄膜晶体管的源极连接所述第N级扫描信号输出端;
所述第十二薄膜晶体管的栅极接入所述第一全局控制信号,所述第十二薄膜晶体管的源极接入所述恒压低电位,所述第十二薄膜晶体管的漏极连接所述第三节点;
所述第十三薄膜晶体管的栅极接入第十三全局控制信号,所述第十三薄膜晶体管的源极接入所述恒压低电位,所述第十三薄膜晶体管的漏极连接所述第N级扫描信号输出端。
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