[发明专利]GOA电路及显示面板有效
申请号: | 202011079809.X | 申请日: | 2020-10-10 |
公开(公告)号: | CN112053655B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 曹海明;田超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | goa 电路 显示 面板 | ||
本申请提供一种GOA电路及显示面板,该GOA电路在上拉模块中增设C1和T2,利用C1的耦合效应,提升Q2点电位,从而使T9开启得更彻底,然后将高于第一恒压高电位的第二恒压高电位由T9输入并输出为扫描信号,由此,能使得扫描信号的电位由现有技术的第一恒压高电位提升为第二恒压高电位,提高了扫描信号的电位,能满足LTPO技术中高频显示时需要提高IGZO薄膜晶体管的扫描信号电位的要求,适合动态帧频技术对产品视觉和稳定性的同步要求,同时,P点电位仍然保持为第一恒压高电位,保持了GOA电路的稳定性,或者,在输出同等电位的扫描信号时,P点电位更低,减轻了T5和T10所受的应力,有利于提高GOA电路的稳定性。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种GOA电路及显示面板。
背景技术
显示面板在高频显示时,显示区由于充电时间较短,往往会由于扫描线的电阻电容延迟效应而导致远端像素中的薄膜晶体管存在扫描信号电位不够的问题,尤其是对于氧化铟镓锌(IGZO)薄膜晶体管而言,由于IGZO薄膜晶体管的迁移率比低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管的迁移率低,充电时间长,因此IGZO薄膜晶体管相比于LTPS薄膜晶体管而言,更需要提高其扫描信号的电位。
例如,目前越来越炙手可热的低温多晶氧化物(LTPO)显示技术由于结合了低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管和氧化物(IGZO)薄膜晶体管,因此可以使显示面板同时具有强驱动能力和低功率消耗的特点,从而能应用于实现超低频和超高频的动态帧频显示技术中,以实现提升显示效果并减少功耗的效果。基于上述IGZO薄膜晶体管的特点可知,为了提高LTPO显示面板显示区中的IGZO薄膜晶体管的充电效果,需要提高其扫描信号的电位。
GOA(Gate Driver On Array)技术是将显示面板的栅极驱动电路集成在玻璃基板上,形成对显示面板的扫描驱动,GOA电路由于能减少工序、降低成本,因此被广泛应用于显示面板的栅极驱动电路。目前,有必要提出一种能提高输出的扫描信号电位的GOA电路,以适用于需要较高电位扫描信号的显示面板。
发明内容
为了提高GOA电路输出的栅极信号的电位,本申请提供一种GOA电路,该GOA电路包括:N个级联的GOA单元,N为正整数,每一级所述GOA单元包括上拉控制模块和上拉模块,其中:
所述上拉控制模块接入第N-2级扫描信号和第一恒压高电位,并连接第一节点,用于在所述第N-2级扫描信号的控制下,将所述第一节点的电位上拉至所述第一恒压高电位。
所述上拉模块接入第N条时钟信号和第二恒压高电位,并连接所述第一节点,用于在所述第一节点的控制下,利用所述第N条时钟信号使第N级扫描信号输出所述第二恒压高电位,其中,所述第二恒压高电位大于所述第一恒压高电位。
在一些实施例中,所述GOA单元还包括下拉模块,所述下拉模块接入第N+2条时钟信号、第一恒压高电位和恒压低电位,并连接所述第一节点,用于在所述第一恒压高电位的控制下,利用所述第N+2条时钟信号将所述第一节点和所述第N级扫描信号输出端的电位下拉至所述恒压低电位。
在一些实施例中,所述上拉控制模块包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第N-2级扫描信号输出端,所述第一薄膜晶体管的源极接入所述第一恒压高电位,所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点。
在一些实施例中,所述上拉模块包括第二薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第九薄膜晶体管和第一电容。
所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第一节点,所述第二薄膜晶体管的源极接入所述第N条时钟信号,所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第一电容的第一端,所述第一电容的第二端连接所述第二节点。
所述第七薄膜晶体管的栅极接入所述第一恒压高电位,所述第七薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点,所述第七薄膜晶体管的源极连接第二节点。
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