[发明专利]具有包括多个区的漏极阱的集成电路在审
| 申请号： | 202011082905.X | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN114068712A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈正龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 包括 多个区 漏极阱 集成电路 | ||
1.一种集成电路，包括：
漂移区域，在衬底中；
漏极，在所述衬底中，其中，所述漏极包括掺杂漏极阱，其中，所述掺杂漏极阱包括：
第一区，其中，所述第一区具有第一浓度的第一掺杂剂；以及
第二区，其中，所述第二区具有第二浓度的所述第一掺杂剂，并且所述第一浓度小于所述第二浓度；以及
栅极电极，在所述漂移区域之上，所述栅极电极在与所述衬底的顶表面平行的方向上与所述掺杂漏极阱分开大于0的距离。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述漂移区域具有第三浓度的所述第一掺杂剂，并且所述第三浓度小于所述第一浓度。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二区通过所述第一区与所述漂移区域分开。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述漏极还包括漏极低密度掺杂LDD区域，并且所述掺杂漏极阱的所述第一区通过所述第二区与所述漏极LDD区域分开。
5.根据权利要求4所述的集成电路，还包括：第三区，其中，所述第三区将所述第二区与所述漏极LDD区域分开并且具有第三浓度的所述第一掺杂剂，所述第三浓度大于所述第二区中的所述第一掺杂剂的所述第二浓度。
6.根据权利要求5所述的集成电路，还包括：第四区，其中，所述第四区将所述第三区与所述漏极LDD区域分开，所述第四区具有第四浓度的所述第一掺杂剂，所述第四浓度大于所述第三区中的所述第一掺杂剂的所述第三浓度。
7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一区在所述衬底的顶表面下方具有第一深度，所述第二区在所述衬底的顶表面下方具有第二深度，并且所述第一深度与所述第二深度不同。
8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一区在所述衬底的顶表面下方具有第一深度，并且所述第二区在所述衬底的顶表面下方具有所述第一深度。
9.一种制造集成电路的方法，包括：
在衬底中形成漂移区域，所述漂移区域具有第一掺杂剂类型；
在所述漂移区域中形成漏极阱，所述漏极阱具有所述第一掺杂剂类型，所述漏极阱包括具有第一浓度的第一掺杂剂的第一区以及具有第二浓度的所述第一掺杂剂的第二区，所述第二浓度不同于所述第一掺杂剂的所述第一浓度；
在所述衬底中形成源极阱，所述源极阱具有与所述第一掺杂剂类型相反的第二掺杂剂类型，所述源极阱与所述衬底中的所述漂移区域相邻；
在所述漂移区域和所述源极阱之上的所述衬底的顶表面之上并且与所述漏极阱横向分开地形成栅极电极；以及
在所述漏极阱的所述第二区中形成漏极低密度掺杂LDD区域。
10.一种半导体器件，包括：
源极阱，在衬底中；
漂移区域，在所述衬底中；
漏极阱，在所述衬底中，所述漏极阱包括漏极低密度掺杂LDD区域并且通过所述漂移区域与所述源极阱分开，其中，
所述漏极阱包括第一区和第二区，所述第一区具有第一浓度的第一掺杂剂，所述第二区具有第二浓度的所述第一掺杂剂；并且所述第一区在所述衬底的顶表面处在所述漂移区域和所述第二区之间的第一宽度小于所述第一区在所述第二区的底部处在所述漂移区域和所述第二区之间的第二宽度；以及
栅极电极，在所述源极阱和所述漂移区域之上，所述栅极电极在所述衬底的顶表面处与所述漏极阱横向分开。
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