[发明专利]具有包括多个区的漏极阱的集成电路

说明书

本公开涉及具有包括多个区的漏极阱的集成电路。一种集成电路包括：漂移区域，在衬底中；漏极，在衬底中，该漏极包括掺杂漏极阱，该掺杂漏极阱包括：第一区，具有第一浓度的第一掺杂剂；以及第二区，具有第二浓度的第一掺杂剂，其中第一浓度小于第二浓度；以及栅极电极，在漂移区域之上并且在与衬底的顶表面平行的方向上与掺杂漏极阱分开大于0的距离。

技术领域

本公开总体涉及具有包括多个区的漏极阱的集成电路。

背景技术

横向扩散硅上金属(LDMOS)是用于集成电路中的功率放大的平面场效应晶体管。LDMOS器件的制造技术包括在P型硅衬底或P型外延层中进行多次注入工艺。功率放大器提升低功率信号以具有更高功率，并驱动诸如天线之类的设备。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种集成电路，包括：漂移区域，在衬底中；漏极，在所述衬底中，其中，所述漏极包括掺杂漏极阱，其中，所述掺杂漏极阱包括：第一区，其中，所述第一区具有第一浓度的第一掺杂剂；以及第二区，其中，所述第二区具有第二浓度的所述第一掺杂剂，并且所述第一浓度小于所述第二浓度；以及栅极电极，在所述漂移区域之上，所述栅极电极在与所述衬底的顶表面平行的方向上与所述掺杂漏极阱分开大于0的距离。

根据本公开的另一实施例，提供了一种制造集成电路的方法，包括：在衬底中形成漂移区域，所述漂移区域具有第一掺杂剂类型；在所述漂移区域中形成漏极阱，所述漏极阱具有所述第一掺杂剂类型，所述漏极阱包括具有第一浓度的第一掺杂剂的第一区以及具有第二浓度的所述第一掺杂剂的第二区，所述第二浓度不同于所述第一掺杂剂的所述第一浓度；在所述衬底中形成源极阱，所述源极阱具有与所述第一掺杂剂类型相反的第二掺杂剂类型，所述源极阱与所述衬底中的所述漂移区域相邻；在所述漂移区域和所述源极阱之上的所述衬底的顶表面之上并且与所述漏极阱横向分开地形成栅极电极；以及在所述漏极阱的所述第二区中形成漏极低密度掺杂(LDD)区域。

根据本公开的又一实施例，提供了一种半导体器件，包括：源极阱，在衬底中；漂移区域，在所述衬底中；漏极阱，在所述衬底中，所述漏极阱包括漏极低密度掺杂LDD区域并且通过所述漂移区域与所述源极阱分开，其中，所述漏极阱包括第一区和第二区，所述第一区具有第一浓度的第一掺杂剂，所述第二区具有第二浓度的所述第一掺杂剂；并且所述第一区在所述衬底的顶表面处在所述漂移区域和所述第二区之间的第一宽度小于所述第一区在所述第二区的底部处在所述漂移区域和所述第二区之间的第二宽度；以及栅极电极，在所述源极阱和所述漂移区域之上，所述栅极电极在所述衬底的顶表面处与所述漏极阱横向分开。

附图说明

图1是根据一些实施例的横向扩散硅上金属(LDMOS)的截面图。

图2是根据一些实施例的制造LDMOS的方法的流程图。

图3A-图3J是根据一些实施例的制造工艺期间的LDMOS的截面图。

图4A-图4B是根据一些实施例的LDMOS的截面图。

图5A-图5E是根据一些实施例的制造工艺期间的LDMOS的截面图。

图6是根据一些实施例的LDMOS器件的击穿电压的图表。

具体实施方式

以下公开提供了用于实现所提供的主题的不同特征的许多不同的实施例或示例。以下描述了组件、值、操作、材料、布置等的特定示例以简化本公开。当然，这些仅是示例并且不旨在进行限制。预期其他组件、值、操作、材料、布置等。例如，在下面的描述中，在第二特征上方或之上形成第一特征可以包括直接接触地形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本公开可以在各个示例中重复参考数字和/或字母。该重复是出于简单和清楚的目的，并且其本身并不指示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。