[发明专利]一种沟槽型MOSFET的制造方法及其结构

权利要求书

1.一种屏蔽栅-沟槽型MOSFET中形成栅极导体与屏蔽导体之间绝缘层的方法，其特征在于，包括如下步骤：

第1步，在沟槽侧壁、屏蔽导体上方以及外延半导体层表面，通过热氧化方法形成一层第一氧化物；

第2步，在所述第一氧化物表面形成一层氮化物；

第3步，采用沉积工艺在沟槽内部以及外延半导体层上氮化物的上方沉积第二氧化物；

第4步，将所述外延半导体层上氮化物的上方沉积的第二氧化物去除；

第5步，相对于所述氮化物选择性地回刻蚀第二氧化物，将沟槽上部的第二氧化物去除；

第6步，采用湿法刻蚀，将外延半导体层上方以及沟槽上部的氮化物去除；

第7步，采用湿法刻蚀，将外延半导体层表面以及沟槽上部的第一氧化物去除。

2.根据权利要求1中所述的屏蔽栅-沟槽型MOSFET中形成栅极导体与屏蔽导体之间绝缘层的方法，其特征在于，在第1步中，所述第一氧化物的厚度大于70 Å。

3.根据权利要求1中所述的屏蔽栅-沟槽型MOSFET中形成栅极导体与屏蔽导体之间绝缘层的方法，其特征在于，在第2步中，所述氮化物的厚度大于500 Å。

4.根据权利要求1中所述的屏蔽栅-沟槽型MOSFET中形成栅极导体与屏蔽导体之间绝缘层的方法，其特征在于，在第3步中，所述沉积工艺为以下工艺其中之一：低压化学气相沉积法、高密度等离子体沉积法、次常压化学气相沉积法、常压化学气相沉积法。

5.根据权利要求1中所述的屏蔽栅-沟槽型MOSFET中形成栅极导体与屏蔽导体之间绝缘层的方法，其特征在于，在第4步中，采用回刻蚀或者化学机械研磨方法，将所述外延半导体层上氮化物的上方沉积的第二氧化物去除。

6.一种采用权利要求1中屏蔽栅-沟槽型MOSFET中形成栅极导体与屏蔽导体之间绝缘层的沟槽型MOSFET的制造方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上形成外延半导体层，并在外延半导体层内部形成沟槽；

在所述沟槽的下部形成第一绝缘层和屏蔽导体，所述第一绝缘层位于所述沟槽的下部侧壁和底部，用于将所述屏蔽导体和外延半导体层隔开；

采用权利要求1中所述的方法在屏蔽导体的顶部形成第二绝缘层，所述第二绝缘层为位于栅极导体与屏蔽导体之间的绝缘层，用于将栅极导体与屏蔽导体隔开；

在所述沟槽的上部形成栅极介质层和栅极导体；

形成体区和源区。

7.根据权利要求6中的沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于，通过离子注入以形成体区和源区，所述体区在所述外延半导体层邻近所述沟槽的上部区域中形成，所述源区在所述体区中形成。

8.根据权利要求6中的沟槽型MOSFET的制造方法，其特征在于，所述屏蔽导体和栅极导体为多晶硅层。

9.一种采用权利要求1中屏蔽栅-沟槽型MOSFET中形成栅极导体与屏蔽导体之间绝缘层的沟槽型MOSFET，其特征在于：

栅极导体与屏蔽导体之间的绝缘层为氧化物-氮化物-氧化物的三层结构。

10.根据权利要求9中的沟槽型MOSFET，其特征在于：所述沟槽型MOSFET包括：

半导体衬底以及生长于半导体衬底上的外延半导体层；

位于外延半导体层内的沟槽结构；

位于沟槽下部的第一绝缘层和屏蔽导体，所述第一绝缘层用于隔开屏蔽导体与外延半导体层；

位于屏蔽导体顶部的第二绝缘层，所述第二绝缘层为氧化物-氮化物-氧化物的三层结构，用于隔开栅极导体与屏蔽导体；

位于沟槽上部的栅极介质层和栅极导体；

以及围绕沟槽的体区和源区。