[发明专利]被加工物的加工方法和加工装置

说明书

本发明提供被加工物的加工方法和加工装置，能够以高精度加工被加工物。该被加工物的加工方法在对被加工物进行加工时使用，其中，该被加工物的加工方法包含如下的步骤：配置步骤，将被加工物配置于气体中，该气体包含产生与被加工物反应的活性种的物质；测量步骤，对配置于气体中的被加工物的厚度的分布进行测量；以及激光束照射步骤，对气体中的被加工物照射根据通过测量步骤而测量的厚度的分布而调整了功率的激光束，在激光束照射步骤中，对被加工物照射调整了功率的激光束，从而控制被加工物的被照射了激光束的区域通过活性种而被去除的去除量。

技术领域

本发明涉及在对晶片等被加工物进行加工时所使用的被加工物的加工方法和加工装置。

背景技术

在以移动电话或个人计算机为代表的电子设备中，具有电子电路等器件的器件芯片成为必须的构成要素。例如按照分割预定线(间隔道)将由硅等半导体材料构成的晶片划分成多个区域，在各区域内形成了器件之后，利用分割预定线对该晶片进行分割，由此得到器件芯片。

但是，在上述那样的器件芯片的制造工序中，有时利用CMP(Chemical MechanicalPolishing，化学机械研磨)等方法对晶片进行加工。例如通过一边对晶片等被加工物提供分散有磨粒的研磨液(浆料)一边利用研磨垫摩擦该被加工物，能够调整被加工物的厚度或提高被加工物的平坦性。

近年来，提出了如下的技术：求出研磨所花费的时间与被加工物的厚度的变化量的关系，根据该关系而设定得到目标厚度的被加工物的研磨的时间(例如参照专利文献1)。通过如该技术这样利用根据实际进行的研磨的结果而得到的关系来设定研磨的时间，从而容易得到目标厚度的被加工物。

另外，还提出了如下的技术：将对平坦的被加工物进行研磨时的方法、对呈山型翘曲的被加工物进行研磨时的方法以及对呈谷型翘曲的被加工物进行研磨时的方法组合起来而提高被加工物的平坦性(例如参照专利文献2)。在该技术中，适当地调整应用各方法的时间，从而将研磨后的被加工物发生翘曲的可能性抑制得较低。

专利文献1：日本特开2011-224758号公报

专利文献2：日本特开2013-115381号公报

另外，在利用根据实际的结果而得到的关系来设定研磨的时间的上述方法中，当被加工物的厚度存在偏差、或被加工物发生翘曲时，未必能够将被加工物加工成目标厚度。在调整应用了各方法的时间的方法中也同样地，当被加工物的厚度的偏差较大、或在被加工物上具有不规则的凹凸时，未必能够将被加工物平坦地加工。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供能够以高精度加工被加工物的新的被加工物的加工方法和加工装置。

根据本发明的第1方式，提供被加工物的加工方法，在对被加工物进行加工时使用，其中，该被加工物的加工方法包含如下的步骤：配置步骤，将该被加工物配置于包含产生与该被加工物反应的活性种的物质的气体中；测量步骤，对配置于该气体中的该被加工物的厚度的分布进行测量；以及激光束照射步骤，对该气体中的该被加工物照射根据通过该测量步骤而测量的该厚度的分布而调整了功率的激光束，在该激光束照射步骤中，对该被加工物照射该调整了功率的该激光束，从而控制该被加工物的被照射了该激光束的区域通过该活性种而被去除的去除量。

根据本发明的第2方式，提供被加工物的加工方法，在对被加工物进行加工时使用，其中，该被加工物的加工方法包含如下的步骤：配置步骤，将该被加工物配置于包含产生与该被加工物反应的活性种的物质的液体中；测量步骤，对配置于该液体中的该被加工物的厚度的分布进行测量；以及激光束照射步骤，对该液体中的该被加工物照射根据通过该测量步骤而测量的该厚度的分布而调整了功率的激光束，在该激光束照射步骤中，对该被加工物照射该调整了功率的该激光束，从而控制该被加工物的被照射了该激光束的区域通过该活性种而被去除的去除量。