[发明专利]存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：

形成包括垂直交替的第一层及第二层的堆叠；及

横向地在直接横向邻近的存储器块区之间且纵向地沿着所述直接横向邻近的存储器块区将介入材料形成到所述堆叠中，所述介入材料的所述形成包括：

横向地在所述直接横向邻近的存储器块区之间且纵向间隔地沿着所述直接横向邻近的存储器块区形成柱，所述柱个别地延伸通过所述第一层及所述第二层中的每一者中的多者；

在形成所述柱之后，沿着直接纵向邻近的所述柱且在所述直接纵向邻近的所述柱之间个别地形成介入开口；及

在所述介入开口中形成填充材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中使用包括对应于所述介入开口中的个别者的个别掩摸开口的掩摸来形成所述介入开口，所述个别掩模开口在所述存储器块的水平纵向定向的方向上与所述直接纵向邻近柱的顶部的水平纵向长度的至少一部分水平重叠。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述个别掩模开口在所述方向上与所述直接纵向邻近柱的所述顶部的所述水平纵向长度的仅一部分水平重叠。

4.根据权利要求1所述的方法，其中使用包括掩摸开口的掩摸来形成所述介入开口，所述掩模开口并非一直纵向连续且横向地在所述直接横向邻近的存储器块区之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述填充材料经形成以完全填充所述介入开口。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述柱保留在所述存储器阵列的完成构造中。

7.根据权利要求1所述的方法，其包括去除所有所述柱，使得其不保留在所述存储器阵列的完成构造中。

8.根据权利要求1所述的方法，其包括形成所述存储器单元串中的个别存储器单元以包括操作沟道材料串的沟道材料，作为所述第一层中的个别者中的导电线的部分的栅极区，及横向地在所述栅极区与所述个别第一层中的所述操作沟道材料串的所述沟道材料之间的存储器结构，在形成所述柱之后形成所述第一层的导电材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其包括：通过所述介入开口，各向同性地蚀刻掉所述第一层中的牺牲材料，并用个别导电线的导电材料替换所述牺牲材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其包括形成所述存储器单元串中的个别存储器单元以包括操作沟道材料串的沟道材料，作为所述第一层中的个别者中的导电线的部分的栅极区，及横向地在所述栅极区与所述个别第一层中的所述操作沟道材料串的所述沟道材料之间的存储器结构，在形成所述柱之前形成所述第一层的导电材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述存储器阵列的完成构造中将所述柱形成为在所述存储器块的水平纵向定向的方向上个别地在其底部比在其顶部更宽。

12.根据权利要求11所述的方法，其包括将所述柱形成为在所述方向上最初在其顶部比在其底部更宽。

13.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：

形成包括垂直交替的第一层及第二层的堆叠；及

横向地在直接横向邻近的存储器块区之间且纵向地沿着所述直接横向邻近的存储器块区将介入材料形成到所述堆叠中，所述介入材料的所述形成包括：

横向地在所述直接横向邻近的存储器块区之间且纵向间隔地沿着所述直接横向邻近的存储器块区形成第一柱，所述第一柱个别地延伸通过所述第一层及所述第二层中的每一者中的多者；

在形成所述第一柱之后，形成个别地沿着直接纵向邻近的所述第一柱并且纵向地在直接纵向邻近的所述第一柱之间水平地横跨的介入开口；及

用填充材料填充所述介入开口以在所述介入开口中的个别者中形成个别第二柱，相对于彼此纵向交替的所述第一及第二柱横向地在所述直接横向邻近的存储器块区之间。