[发明专利]存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

说明书

本申请案涉及存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替的第一层及第二层的堆叠。横向地在直接横向邻近的存储器块区之间且纵向地沿着所述直接横向邻近的存储器块区将介入材料形成到所述堆叠中。所述介入材料的所述形成包括横向地在所述直接横向邻近的存储器块区之间且纵向间隔地沿着所述直接横向邻近的存储器块区形成柱。所述柱个别地延伸通过所述第一层及所述第二层中的每一者中的多者。在形成所述柱之后，沿着直接纵向邻近的所述柱且在所述直接纵向邻近的所述柱之间个别地形成介入开口。在所述介入开口中形成填充材料。揭示包含结构的其它实施例。

技术领域

本文揭示的实施例涉及存储器阵列以及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路，并且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(也可称为字线)来写入或读取存储器单元。感测线可沿阵列的列导电地互连存储器单元，并且存取线可沿阵列的行导电地互连存储器单元。可通过感测线及存取线的组合来唯一地寻址每一存储器单元。

存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在没有电力的情况下长时间存储数据。常规地将非易失性存储器指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器耗散，因此经刷新/重写以维护数据存储。易失性存储器可具有几毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以按至少两个不同的可选状态来保持或存储存储器。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储两个以上信息电平或状态。

场效应晶体管是可用在存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，其间具有半导体沟道区。导电栅极邻近沟道区并通过薄栅极绝缘体与沟道区分离。向栅极施加合适电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一者流到另一者。当从栅极移除电压时，在很大程度上防止电流流过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如可逆地可编程电荷存储区，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分。

快闪存储器是一种类型的存储器，并且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有存储在快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一实例，计算机及其它装置越来越普遍地利用固态驱动器中的快闪存储器来代替常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中很流行，因为其使制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持新的通信协议，并且提供远程升级装置以增强特征的能力。

NAND可为集成快闪存储器的基本架构。NAND单元部件包括至少一个选择装置，其串联耦合到存储器单元的串联组合(串联组合通常被称为NAND串)。NAND架构可配置成三维布置，所述三维布置包括垂直堆叠存储器单元，其个别地包括可逆地可编程垂直晶体管。控制电路或其它电路可形成在垂直堆叠存储器单元下方。其它易失性或非易失性存储器阵列架构还可包括个别地包括晶体管的垂直堆叠存储器单元。

存储器阵列可布置成存储器页面，存储器块及部分块(例如，子块)以及存储器平面，例如如在第2015/0228659号、第2016/0267984号及第2017/0140833号美国专利申请案公开案中的任一者中展示及描述。存储器块可至少部分界定在垂直堆叠存储器单元的个别字线层中的个别字线的纵向轮廓。到这些字线的连接可以垂直堆叠存储器单元的阵列的端部或边缘处的所谓的“阶梯结构”发生。阶梯结构包含界定个别字线的接触区的个别“台阶”(替代地称为“步阶”或“阶梯”)，竖向延伸导电通路与“台阶”接触以提供到字线的电接入。

发明内容