[发明专利]用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底；

于所述半导体衬底上交替叠置牺牲层及栅间介质层以形成叠层结构；

于所述叠层结构内形成沿所述叠层结构的厚度方向贯穿所述叠层结构的沟道通孔，沿所述叠层结构的厚度方向，所述沟道通孔各部分的宽度不尽相同，并且所述牺牲层的厚度与所述沟道通孔的宽度成正比且所述栅间介质层的厚度与所述沟道通孔的宽度成反比；

于所述沟道通孔的底部形成外延层；

于所述沟道通孔的侧壁形成功能侧壁，并于所述功能侧壁的表面及所述外延层的上表面形成沟道层；

于所述叠层结构内形成栅极间隙；

基于所述栅极间隙去除所述牺牲层，以形成牺牲间隙；及

于所述牺牲间隙内形成栅极层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟道通孔下部的宽度小于所述沟道通孔上部的宽度。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构下部的各所述牺牲层的厚度相同，位于所述叠层结构上部的各层所述牺牲层的厚度相同；位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构下部的各所述栅间介质层的厚度相同，位于所述叠层结构上部的各层所述栅间介质层的厚度相同。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度由下至上依次逐层递增；位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度由下至上依次逐层递减。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构下部的所述牺牲层及所述栅间介质层构成若干个叠层单元，各所述叠层单元均包括若干层所述牺牲层及若干层所述栅间介质层；同一所述叠层单元内各所述牺牲层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述牺牲层的厚度由下至上依次递增；同一所述叠层单元内各所述栅间介质层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅间介质层的厚度由下至上依次逐层递减。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度由上至下依次逐层递减；位于所述叠层结构下部的所述栅间介质层的厚度大于位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递增。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：位于所述叠层结构下部的所述牺牲层的厚度小于位于所述叠层结构上部的所述牺牲层的厚度，且位于所述叠层结构上部的所述牺牲层及所述栅间介质层构成若干个叠层单元，各所述叠层单元均包括若干层所述牺牲层及若干层所述栅间介质层；同一所述叠层单元内各所述牺牲层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述牺牲层的厚度由上至下依次递减；同一所述叠层单元内各所述栅间介质层的厚度相同，不同所述叠层单元内所述栅间介质层的厚度由上至下依次逐层递增。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟道通孔上部的宽度小于所述沟道通孔下部的宽度。