[发明专利]一种5G高频MPI材料钻孔方法有效
| 申请号： | 202011090507.2 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112188740B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 赵城;彭伟红;周丹;田新博 | 申请（专利权）人： | 安捷利（番禺）电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 罗毅萍 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高频 mpi 材料 钻孔 方法 | ||
1.一种5G高频MPI材料钻孔方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、采用激光在预设焦距下按预设轨迹采用预定的振镜扫描速度和有效光斑直径对MPI压合工件进行圆形钻孔；
S2、将焦距下移一微距离，焦距下移过程中暂停激光钻孔；减小所述振镜扫描速度和增大有效光斑直径，继续采用激光在下移后的焦距下按预设轨迹对所述MPI压合工件进行圆形钻孔；
S3、将焦距下移一微距离，焦距下移过程中暂停激光钻孔；分别调整所述振镜扫描速度和有效光斑直径至预定最小值和预定最大值，继续采用激光在下移后的焦距下按预设轨迹对所述MPI压合工件进行圆形钻孔；
S4、将焦距下移一微距离，焦距下移过程中暂停激光钻孔；调整振镜扫描速度和有效光斑直径，使其小于S2中的振镜扫描速度和大于S2中的有效光斑直径，继续采用激光在下移后的焦距下按预设轨迹对所述MPI压合工件进行圆形钻孔；
S5、重复步骤S2至S4，直至钻孔完成。
2.根据权利要求1所述的5G高频MPI材料钻孔方法，其特征在于：步骤S3中，在进行圆形钻孔时，同一焦距下进行重复钻孔2次。
3.根据权利要求1所述的5G高频MPI材料钻孔方法，其特征在于：整个加工过程中，焦距每一次下移的微距离相等。
4.根据权利要求1所述的5G高频MPI材料钻孔方法，其特征在于：所述微距离为1μm。
5.根据权利要求1所述的5G高频MPI材料钻孔方法，其特征在于：步骤S1中，所述预定的振镜扫描速度为350-354mm/s。
6.根据权利要求5所述的5G高频MPI材料钻孔方法，其特征在于：所述预定的振镜扫描速度为352mm/s。
7.根据权利要求1所述的5G高频MPI材料钻孔方法，其特征在于：所述步骤S2和/或S4中，所述振镜扫描速度的减小幅度不大于5mm/s。
8.根据权利要求1所述的5G高频MPI材料钻孔方法，其特征在于：所述步骤S2和/或S4中，所述有效光斑直径的增大幅度不大于1μm。
9.根据权利要求1所述的5G高频MPI材料钻孔方法，其特征在于：以上步骤中，焦距下移时，激光钻孔的暂停时间为40-70微秒。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的5G高频MPI材料钻孔方法，其特征在于：还包括位于步骤S5后的步骤S6；
S6、将钻孔后的工件依次进行孔金属化前处理和孔金属化处理。
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