[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示装置在审

申请号：	202011092148.4	申请日：	2020-10-13
公开（公告）号：	CN112186042A	公开（公告）日：	2021-01-05
发明（设计）人：	李然;田宏伟	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L29/06;H01L29/32;H01L29/36;H01L21/34;H01L27/32
代理公司：	北京安信方达知识产权代理有限公司 11262	代理人：	解婷婷;曲鹏
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管及其制备方法显示装置
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【权利要求书】：

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板、设置于所述基板上的栅极和覆盖所述栅极的栅绝缘层以及设置于所述栅绝缘层远离所述基板一侧的有源层，所述有源层与所述栅极的位置对应，所述有源层包括设置于所述栅绝缘层远离所述基板一侧的第一有源层和设置于所述第一有源层远离所述栅绝缘层一侧的第二有源层，其中，所述第一有源层的氧空位密度小于所述第二有源层的氧空位密度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述第一有源层和所述第二有源层均包括金属氧化物。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述第一有源层还掺杂有锂、氮和钨中至少一种元素。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述第一有源层内掺杂元素的摩尔分数为0.1％-1％。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述第一有源层的厚度小于所述第二有源层的厚度。

6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于：还包括设置于所述栅极和所述基板之间的阻氢缓冲层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述阻氢缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层设置于所述第二缓冲层和所述基板之间，所述第一缓冲层的材料包括氮化硅或氧化铝，所述第二缓冲层的材料包括氧化硅。

8.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于：还包括设置于所述有源层上的源电极和漏电极以及覆盖所述源电极和所述漏电极的钝化层。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅极；

形成覆盖所述栅极的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层远离所述基板的一侧形成有源层，所述有源层与所述栅极的位置对应，所述有源层包括设置于所述栅绝缘层远离所述基板一侧的第一有源层和设置于所述第一有源层远离所述栅绝缘层一侧的第二有源层，其中，所述第一有源层的氧空位密度小于所述第二有源层的氧空位密度。