[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示装置

说明书

本文公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。薄膜晶体管包括基板、设置于基板上的栅极和覆盖栅极的栅绝缘层以及设置于栅绝缘层远离基板一侧的有源层，有源层与栅极的位置对应，有源层包括设置于栅绝缘层远离基板一侧的第一有源层和设置于第一有源层远离栅绝缘层一侧的第二有源层，其中，第一有源层的氧空位密度小于第二有源层的氧空位密度。本文通过在栅绝缘层上设置第一有源层和第二有源层，第一有源层的氧空位密度小于第二有源层的氧空位密度，可以有效降低电子或正电荷在栅绝缘层和有源层交界面被捕获的概率，提升薄膜晶体管的偏压稳定性。

技术领域

本申请涉及但不限于显示技术领域，更具体地，涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。

背景技术

铟镓锌氧化物(Indium GalliumZinc Oxide，简称IGZO)薄膜晶体管作为金属氧化物薄膜晶体管的一种，因为其较高的迁移率、低关态电流、低成本、适合大面积制备等特点，已开始大量应用于有机电致发光显示面板(Organic Light-emitting Diode，OLED)。

显示面板在工作状态下，IGZO薄膜晶体管长期处于正偏压与负偏压的工作状态中，由于IGZO非晶结构，导致IGZO薄膜晶体管的偏压稳定性较差，进而影响显示面板工作稳定性。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，可以有效提高薄膜晶体管的偏压稳定性。

本发明实施例提供的薄膜晶体管，包括：基板、设置于基板上的栅极和覆盖栅极的栅绝缘层以及设置于栅绝缘层远离基板一侧的有源层，有源层与栅极的位置对应，有源层包括设置于栅绝缘层远离基板一侧的第一有源层和设置于第一有源层远离栅绝缘层一侧的第二有源层，其中，第一有源层的氧空位密度小于第二有源层的氧空位密度。

在一些示例性实施例中，第一有源层和第二有源层均包括金属氧化物。

在一些示例性实施例中，第一有源层还掺杂有锂、氮和钨中至少一种元素。

在一些示例性实施例中，第一有源层内掺杂元素的摩尔分数为0.1％-1％。

在一些示例性实施例中，第一有源层的厚度小于第二有源层的厚度。

在一些示例性实施例中，还包括设置于栅极和基板之间的阻氢缓冲层。

在一些示例性实施例中，阻氢缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层设置于第二缓冲层和基板之间，第一缓冲层的材料包括氮化硅或氧化铝，第二缓冲层的材料包括氧化硅。

在一些示例性实施例中，还包括设置于有源层上的源电极和漏电极以及覆盖源电极和漏电极的钝化层。

本发明实施例提供的显示装置，包括上述任一实施例提供的薄膜晶体管。

本发明实施例提供的薄膜晶体管的制备方法，包括：

在基板上形成栅极；

形成覆盖栅极的栅绝缘层；

在栅绝缘层远离基板的一侧形成有源层，有源层与栅极的位置对应，有源层包括设置于栅绝缘层远离基板一侧的第一有源层和设置于第一有源层远离栅绝缘层一侧的第二有源层，其中，第一有源层的氧空位密度小于第二有源层的氧空位密度。

在一些示例性实施例中，在基板上形成栅极之前，还包括：

在基板上形成第一缓冲层；

在第一缓冲层上形成第二缓冲层。