[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202011093528.X | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN111933696B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 阳清;崔助凤;金起準 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L27/092;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 210046 江苏省南京市栖霞区迈*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域，所述NMOS区域内定义有有源区，且在所述NMOS区域上形成有栅极材料层；
在所述栅极材料层上形成光刻胶层，所述光刻胶层至少覆盖所述NMOS区域中的有源区；
以所述光刻胶层为掩模，对所述栅极材料层进行N型离子注入；以及
对所述半导体衬底进行退火处理，使注入所述栅极材料层的N型离子从所述NMOS区域中的有源区之外的区域向所述NMOS区域中的有源区扩散，以实现N型预掺杂。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述N型离子为磷离子。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述N型离子注入的浓度为2.0E15/cm2～5.0E15/cm2，所述N型离子注入的能量为5 kev～15 kev。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述N型离子注入的区域围绕所述NMOS区域中的有源区。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述N型离子注入的方式为垂直注入。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行退火处理的退火温度为900℃-1000℃。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，实现N型预掺杂后还包括：刻蚀所述栅极材料层以形成栅极。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述栅极之后还包括：
在所述栅极上形成侧墙；
对所述半导体衬底离子注入，在所述栅极两侧形成源极和漏极。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底还包括PMOS区域，所述NMOS区域和所述PMOS区域之间通过浅沟槽隔离结构隔离。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底和所述栅极材料层之间还形成有栅氧化层。
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