[发明专利]一种硅片质量检测方法、分类方法

权利要求书

1.一种硅片质量检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

一、对硅片进行清洗，在清洗后的硅片双面形成钝化膜，用于对所述硅片表面的悬挂键进行钝化，并进行烧结处理，得到半成品；

二、对半成品进行第一次少子寿命测试和光致发光测试，得到第一少子寿命值为A₁和第一光致测试值为B₁；

三、对半成品进行衰减处理；

四、对衰减处理的半成品进行第二次少子寿命测试和光致发光测试，得到第二少子寿命值为A₂和第二光致测试值为B₂；

五、计算硅片的少子寿命衰减率和光致衰减率，其中，硅片的少子寿命衰减率为C，C＝(A₁-A₂)/A₁，硅片的光致衰减率为D，D＝(B₁-B₂)/B₁；

六、根据A₁、C和/或D，判断硅片体内杂质及缺陷含量。

2.如权利要求1所述的硅片质量检测方法，其特征在于，步骤(三)中，所述衰减处理包括加热处理和光照处理，其中，加热处理和光照处理同时进行；

加热处理是对半成品进行加热，加热温度为110～170℃，加热时间为10～40s；

光照处理采用波长为1000～1200nm，光照强度为15000～35000w/m²的红外激光来照射半成品。

3.如权利要求2所述的硅片质量检测方法，其特征在于，加热温度为130～150℃，加热时间为15～30s；

所述红外激光的波长为1050～1150nm，光照强度为18000～25000w/m²。

4.如权利要求1所述的硅片质量检测方法，其特征在于，步骤(二)中，所述光致发光测试的测试光照强度为1sun，曝光时间为0.1～0.5s。

5.如权利要求1所述的硅片质量检测方法，其特征在于，步骤(一)中，所述清洗包括碱洗，其中，所述碱洗包括：

将硅片浸泡在温度为65～75℃的第一碱液中，所述第一碱液为2％～3％浓度的KOH溶液，用于去除硅片表面机械损伤层；

用去离子水冲洗硅片，以除去第一碱液；

将硅片浸泡在第二碱液中，所述第二碱液为70％～85％浓度的KOH和1％～2％浓度的H₂O₂混合溶液，用于去除硅片表面的有机物。

6.如权利要求5所述的硅片质量检测方法，其特征在于，步骤(一)中，所述清洗还包括酸洗，所述酸洗在碱洗之后进行，其中，所述酸洗包括：

将硅片浸泡在2％～5％浓度的HCl/HF混合溶液中，去除多余的碱液、金属杂质及硅片表面氧化层；

用50～70℃的去离子水冲洗硅片，以除去酸液；

将硅片吹干。

7.如权利要求1所述的硅片质量检测方法，其特征在于，步骤(一)中，采用等离子增强化学气相沉积法在硅片的双面沉积AlO_x膜和SiN_x膜，形成AlO_x/SiN_x叠层钝化膜；其中，

AlO_x膜的厚度为8～15nm，SiN_x膜的厚度为65～75nm。

8.如权利要求1所述的硅片质量检测方法，其特征在于，步骤(一)中，所述烧结处理包括：将钝化膜放在700～800℃的环境退火，以使钝化膜激活，将硅片表面悬挂键及缺陷钝化。