[发明专利]一种硅片质量检测方法、分类方法

说明书

本发明公开了一种硅片质量检测方法、分类方法，其中，硅片质量检测方法包括以下步骤：一、对硅片进行清洗，在清洗后的硅片双面形成钝化膜并进行烧结处理，得到半成品；二、对半成品进行第一次少子寿命测试和光致发光测试，得到第一少子寿命值为A₁和第一光致测试值为B₂；三、对半成品进行衰减处理；四、对衰减处理的半成品进行第二次少子寿命测试和光致发光测试，得到第二少子寿命值为A₂和第二光致测试值为B₂；五、计算硅片的少子寿命衰减率和光致衰减率；六、根据A₁、C和/或D，判断硅片体内杂质及缺陷含量。本发明的检测方法操作简单，效率高，准确度高。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种硅片质量检测方法、分类方法。

背景技术

随着晶硅技术发展，为了获得高效、优质、可靠性的太阳能电池，对硅片质量的需求越来越高，硅片在拉晶及铸锭过程中总会有少量金属、氧、以及碳杂质引入，会极大降低成品硅基电池的电学性能及可靠性。为了解决硅片杂质问题，电池制程工艺中会增加含氢钝化膜工艺及退火工艺，钝化硅片表面悬挂键和缺陷问题，但是硅片本身杂质问题无法探测。

在传统硅片电池制作过程中，无法判定硅片质量对电池片性能及可靠性的影响，现有技术中的硅片衰减表征方法是将硅片按照常规或者特殊电池工艺做成电池进行衰减测试，如光致衰减(LID)测试、光热辅助衰减(LETID)测试及电致衰减(CID)测试，来判断硅片质量对电池性能及可靠性的影响，这种方式时间较久，并且会受到电池工艺制程的影响，难以保证对硅片质量判断的准确度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种硅片质量检测方法，操作简单，效率高，准确度高。

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种硅片的分类方法，操作简单，效率高，准确度高。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种硅片质量检测方法，包括以下步骤：

一、对硅片进行清洗，在清洗后的硅片双面形成钝化膜，用于对所述硅片表面的悬挂键进行钝化，并进行烧结处理，得到半成品；

二、对半成品进行第一次少子寿命测试和光致发光测试，得到第一少子寿命值为A₁和第一光致测试值为B₂；

三、对半成品进行衰减处理；

四、对衰减处理的半成品进行第二次少子寿命测试和光致发光测试，得到第二少子寿命值为A₂和第二光致测试值为B₂；

五、计算硅片的少子寿命衰减率和光致衰减率，其中，硅片的少子寿命衰减率为C，C＝(A₁-A₂)/A₁，硅片的光致衰减率为D，D＝(B₁-B₂)/B₁；

六、根据A₁、C和/或D，判断硅片体内杂质及缺陷含量。

其中，A₁越大，硅片体内杂质及缺陷含量越少，A₁越小，硅片体内杂质及缺陷含量越大；

C和D越大，硅片体内杂质及缺陷含量越多，C和D越小，硅片体内杂质及缺陷含量越少。

作为上述方案的改进，步骤(三)中，所述衰减处理包括加热处理和光照处理，其中，加热处理和光照处理同时进行；

加热处理是对半成品进行加热，加热温度为110～170℃，加热时间为10～40s；

光照处理采用波长为1000～1200nm，光照强度为15000～35000w/m²的红外激光来照射半成品。