[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

有源层，所述有源层设置于所述基板上，所述有源层包括半导体部和第一掺杂部，所述第一掺杂部设置于所述半导体部的两侧；

第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层覆盖所述基板以及所述有源层；

栅极层，所述栅极层设置于所述第一栅极绝缘层上，所述栅极层位于所述半导体部之上；

层间介质层，所述层间介质层覆盖所述第一栅极绝缘层以及所述栅极层，所述层间介质层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一栅极绝缘层以及所述层间介质层以暴露所述第一掺杂部；

感光层，所述感光层设置于所述第一通孔以及所述层间介质层上；以及

遮挡层，所述遮挡层设置于所述感光层上。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括掺杂层，所述掺杂层设置于所述感光层上，所述遮挡层设置于所述掺杂层上。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮挡层为第二栅极绝缘层，所述遮挡层包括第二通孔，所述第二通孔贯穿所述遮挡层以暴露所述感光层。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮挡层为氧化铟锡层。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层覆盖所述层间介质层、所述感光层以及所述遮挡层，所述平坦层包括第三通孔，所述第三通孔贯穿所述平坦层以暴露所述遮挡层。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述遮挡层以及所述平坦层，所述第一钝化层包括第四通孔，所述第四通孔贯穿所述第一钝化层以及所述遮挡层以暴露所述感光层。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极层，所述公共电极层设置于所述第一钝化层上，并通过所述第四通孔与所述感光层电连接。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

所述基板上设置有源层，所述有源层包括半导体部和第一掺杂部，所述第一掺杂部设置于所述半导体部的两侧；

在所述基板以及所述有源层上设置第一栅极绝缘层；

栅极层，所述栅极层设置于所述第一栅极绝缘层上，所述栅极层位于所述半导体部之上；

在所述第一栅极绝缘层以及所述栅极层上设置层间介质层，所述层间介质层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一栅极绝缘层以及所述层间介质层以暴露所述第一掺杂部；

在所述第一通孔以及所述层间介质层上设置感光层；以及

在所述感光层上设置遮挡层。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述感光层上设置遮挡层的步骤之后，还包括：

在所述感光层上形成掺杂层，所述遮挡层覆盖所述掺杂层，所述遮挡层为第二栅极绝缘层。

10.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一通孔以及所述层间介质层上设置感光层的步骤之后，在所述感光层上设置遮挡层的步骤之前，还包括：

在所述感光层上设置掺杂层，所述遮挡层覆盖所述掺杂层，所述遮挡层为氧化铟锡层。