[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
申请号: | 202011096584.9 | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN112259556A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 艾飞;宋继越;宋德伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06K9/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何志军 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法,阵列基板包括基板、有源层、第一栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、感光层以及遮挡层,有源层设置于基板上,有源层包括半导体部和第一掺杂部,第一掺杂部设置于半导体部的两侧,第一栅极绝缘层覆盖基板以及有源层,栅极层设置于第一栅极绝缘层上,栅极层位于半导体部之上,层间介质层覆盖第一栅极绝缘层以及栅极层,层间介质层包括第一通孔,第一通孔贯穿第一栅极绝缘层以及层间介质层以暴露第一掺杂部,感光层设置于第一通孔以及层间介质层上,遮挡层设置于感光层上。通过将感光层设置在有源层的第一掺杂部上,降低了生产成本,并提高了阵列基板的良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
指纹识别技术已广泛应用于中小尺寸的面板中,其中主要有电容式、超声波式和光学式等几种方式。相比于电容式和超声波式指纹识别技术,光学指纹识别具有稳定性好、抗静电能力强以及穿透能力好等。目前,通常将感光传感器集成到屏幕内部实现全屏指纹识别可以大大提高用户体验,但是集成的阵列基板工艺将变得复杂化,使得制备成本升高以及产品良率降低。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制备方法,以降低阵列基板制备成本以及提高阵列基板的良率。
本发明提供一种阵列基板,包括:
基板;
有源层,所述有源层设置于所述基板上,所述有源层包括半导体部和第一掺杂部,所述第一掺杂部设置于所述半导体部的两侧;
第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层覆盖所述基板以及所述有源层;
栅极层,所述栅极层设置于所述第一栅极绝缘层上,所述栅极层位于所述半导体部之上;
层间介质层,所述层间介质层覆盖所述第一栅极绝缘层以及所述栅极层,所述层间介质层包括第一通孔,所述第一通孔贯穿所述第一栅极绝缘层以及所述层间介质层以暴露所述第一掺杂部;
感光层,所述感光层设置于所述第一通孔以及所述层间介质层上;以及
遮挡层,所述遮挡层设置于所述感光层上。
在本发明所提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括掺杂层,所述掺杂层设置于所述感光层上,所述遮挡层设置于所述掺杂层上。
在本发明所提供的阵列基板中,所述遮挡层为第二栅极绝缘层,所述遮挡层包括第二通孔,所述第二通孔贯穿所述遮挡层以暴露所述感光层。
在本发明所提供的阵列基板中,所述遮挡层为氧化铟锡层。
在本发明所提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括平坦层,所述平坦层覆盖所述层间介质层、所述感光层以及所述遮挡层,所述平坦层包括第三通孔,所述第三通孔贯穿所述平坦层以暴露所述遮挡层。
在本发明所提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括第一钝化层,所述第一钝化层覆盖所述遮挡层以及所述平坦层,所述第一钝化层包括第四通孔,所述第四通孔贯穿所述第一钝化层以及所述遮挡层以暴露所述感光层。
在本发明所提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括公共电极层,所述公共电极层设置于所述第一钝化层上,并通过所述第四通孔与所述感光层电连接。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法,包括:
提供一基板;
所述基板上设置有源层,所述有源层包括半导体部和第一掺杂部,所述第一掺杂部设置于所述半导体部的两侧;
在所述基板以及所述有源层上设置第一栅极绝缘层;
栅极层,所述栅极层设置于所述第一栅极绝缘层上,所述栅极层位于所述半导体部之上;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011096584.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种紧固件螺母表面抛光设备
- 下一篇:变密度滤光片旋转测试装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的