[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011099855.6 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN113036037A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 朴正敏;金海龙;朴影根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
电容器，包括下电极、上电极以及在所述下电极和所述上电极之间的介电层，
其中，所述下电极包括ABO3，其中“A”是第一金属元素，“B”是第二金属元素，所述第二金属元素的功函数大于所述第一金属元素的功函数；
所述介电层包括CDO3，其中“C”是第三金属元素，“D”是第四金属元素；
所述下电极包括交替且重复地堆叠的第一层和第二层；
所述第一层包括所述第一金属元素和氧；
所述第二层包括所述第二金属元素和氧；以及
所述介电层在第一接触表面处与所述下电极接触，所述第一接触表面与所述第二层相对应。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触表面具有{100}晶体平面。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下电极和所述介电层中的每一个均具有钙钛矿晶体结构。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电层包括交替且重复地堆叠的第三层和第四层；
所述第三层包括所述第三金属元素和氧；
所述第四层包括所述第四金属元素和氧；以及
所述介电层在第二接触表面处与所述下电极接触，所述第二接触表面与所述第三层相对应。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第四金属元素的功函数大于所述第三金属元素的功函数。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二金属元素的功函数大于所述第四金属元素的功函数。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二金属元素的功函数大于4.5eV且小于6eV。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属元素是Sr、Ba、La或Ca中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二金属元素是Ru、Mo、Ir、Co或Ni中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三金属元素是Ba、Sr或Ca中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第四金属元素是Ti、Zr或Hf中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述下电极的厚度在至之间。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述电容器还包括基电极；以及
所述下电极覆盖所述基电极的侧壁和所述基电极的顶表面。
14.一种半导体器件，包括：
电容器，包括下电极、上电极以及在所述下电极和所述上电极之间的介电层，
其中，所述下电极包括第一金属元素、第二金属元素和氧；
所述介电层包括第三金属元素、第四金属元素和氧，
所述下电极包括交替且重复地堆叠的第一层和第二层；
所述第一层包括所述第一金属元素和氧，并且所述第二层包括所述第二金属元素和氧；
所述第一金属元素是Sr、Ba、La或Ca中的至少一种，并且所述第二金属元素是Ru、Mo、Ir、Co或Ni中的至少一种；以及
所述介电层在第一接触表面处与所述下电极接触，所述第一接触表面与所述第二层相对应。
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