[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

半导体器件包括电容器，该电容器包括下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的介电层。下电极包括ABO₃，其中“A”是第一金属元素，“B”是第二金属元素，第二金属元素的功函数大于第一金属元素的功函数。介电层包括CDO₃，其中“C”是第三金属元素，并且“D”是第四金属元素。下电极包括交替且重复地堆叠的第一层和第二层。第一层包括第一金属元素和氧。第二层包括第二金属元素和氧。介电层在与第二层对应的第一接触表面处与下电极接触。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2019年12月24日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2019-0174171的优先权，其公开通过引用整体并入本文中。

技术领域

一些示例实施例涉及半导体，并且更具体地涉及一种半导体器件和/或其制造方法。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能特性和/或低制造成本而广泛用于电子行业中。随着电子行业的发展，半导体器件已高度集成。半导体器件中包括的图案的宽度已减小，以提高半导体器件的集成密度。特别是，随着诸如动态随机存取存储器(DRAM)之类的半导体存储器器件的设计规则的降低，电容器的下电极的氧化可能会增大电容范围(例如，标准偏差和/或四分位间距和/或电容的最大值和最小值之差)。因此，需要一种能够减小电容差异的半导体存储器器件的结构和方法。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例可以提供能够减小电容器的漏电流的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。

备选地或附加地，本发明构思的一些示例实施例还可以提供能够提高可靠性的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。

根据一些示例实施例，半导体器件可以包括电容器，该电容器包括下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的介电层。下电极包括ABO₃，其中“A”是第一金属元素，“B”是第二金属元素，第二金属元素的功函数大于第一金属元素的功函数。介电层包括CDO₃，其中“C”是第三金属元素，“D”是第四金属元素。下电极包括交替且重复地堆叠的第一层和第二层。第一层包括第一金属元素和氧。第二层包括第二金属元素和氧。介电层在第一接触表面处与下电极接触，第一接触表面与第二层相对应。

根据一些示例实施例，半导体器件可以包括电容器，该电容器包括下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的介电层。下电极包括第一金属元素、第二金属元素和氧。介电层包括第三金属元素、第四金属元素和氧。下电极包括交替且重复地堆叠的第一层和第二层；第一层包括第一金属元素和氧。第二层包括第二金属元素和氧。第一金属元素为Sr、Ba、La或Ca中的至少一种，并且第二金属元素为Ru、Mo、Ir、Co或Ni中的至少一种。介电层在第一接触表面处与下电极接触，第一接触表面与第二层相对应。

根据一些示例实施例，半导体器件可以包括：掩埋在基板的上部中的第一导线，第一导线沿第一方向延伸；基板的上部中的有源部，有源部由器件隔离图案限定，有源部包括彼此间隔开的第一掺杂区和第二掺杂区，并且第一导线插入在第一掺杂区和第二掺杂区之间；基板上的第二导线，第二导线沿与第一方向相交的第二方向延伸，第二导线连接到第一掺杂区；接触件，连接到第二掺杂区；以及电容器，通过接触件连接到第二掺杂区。电容器包括下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的介电层。下电极包括ABO₃，其中“A”是第一金属元素，“B”是第二金属元素，第二金属元素的功函数大于第一金属元素的功函数，介电层包括CDO₃，其中“C”是第三金属元素，“D”是第四金属元素。下电极包括交替且重复地堆叠的第一层和第二层，第一层包括第一金属元素和氧，第二层包括所述第二金属元素和氧。介电层在下电极的第一接触表面处与下电极接触，第一接触表面与第二层相对应。