[发明专利]半导体器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底内的多个有源区及隔离结构，所述有源区及所述隔离结构沿第一方向交替间隔排布，所述有源区沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相垂直；

至少位于所述有源区上的栅极结构；以及

至少位于相邻所述有源区之间的所述隔离结构上的虚拟结构，且在所述第二方向上所述栅极结构与所述虚拟结构之间具有间距；

所述有源区中还形成有位于所述栅极结构两侧源极掺杂区及漏极掺杂区，所述虚拟结构对应位于相邻所述有源区的所述源极掺杂区之间或所述漏极掺杂区之间，且在所述第一方向上所述虚拟结构还延伸至相邻两个所述有源区的所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区上方形成交叠区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述栅极结构与所述虚拟结构的材质相同，所述栅极结构与所述虚拟结构的高度相同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述栅极结构包括若干个与所述有源区一一对应的栅极单元，所述栅极单元沿所述第一方向上横跨对应的所述有源区，且各所述栅极单元基于同一金属层电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，相邻所述栅极单元之间具有间距，相邻两个所述有源区对应的两个所述栅极单元与所述有源区之间对应的所述虚拟结构在所述第一方向上的投影相交叠。

5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述栅极结构包括条状栅，所述条状栅沿所述第一方向上横跨各个所述有源区。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述有源区中还形成有位于所述栅极结构两侧的LDD掺杂区。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构为位线驱动器。

8.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，沿所述第一方向上，所述交叠区域的尺寸介于对应所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区尺寸的1/5-1/3之间。

9.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成多个有源区及隔离结构，所述有源区及所述隔离结构沿第一方向交替间隔排布，所述有源区沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相垂直；

于所述半导体衬底上制备栅极结构及虚拟结构，其中，所述栅极结构至少形成在所述有源区上，所述虚拟结构至少形成在相邻所述有源区之间的所述隔离结构上，且在所述第二方向上所述栅极结构与所述虚拟结构之间具有间距；

对所述有源区进行离子注入，以在所述栅极结构两侧形成源极掺杂区和漏极掺杂区，所述虚拟结构对应位于相邻所述有源区的所述源极掺杂区之间或所述漏极掺杂区之间，且在所述第一方向上所述虚拟结构还延伸至相邻两个所述有源区的所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区上方形成交叠区域。

10.根据权利要求9所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述栅极结构与所述虚拟结构基于同一工艺同时制备。

11.根据权利要求9所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述栅极结构包括若干个与所述有源区一一对应的栅极单元，所述栅极单元沿所述第一方向上横跨对应的所述有源区，且各所述栅极单元基于同一金属层电连接；或者，所述栅极结构包括条状栅，所述条状栅沿所述第一方向上横跨各个所述有源区。

12.根据权利要求11所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，相邻所述栅极单元之间具有间距，且相邻两个所述有源区对应的所述栅极单元与所述有源区之间的所述虚拟结构在所述第一方向上的投影具有交叠。