[发明专利]晶圆堆叠方法、晶圆堆叠结构和半导体封装

权利要求书

1.一种晶圆堆叠方法，包括：

在第一晶圆中形成第一硅通孔；

在所述第一晶圆的对应所述第一硅通孔的位置上，形成第一焊盘；

在所述第一晶圆的靠近所述第一焊盘的一侧，将所述第一晶圆键合到第二晶圆，其中，所述第二晶圆为器件晶圆，所述器件晶圆中形成有至少一个器件芯片；

在所述第一晶圆的背离所述第一焊盘的一侧，形成与所述至少一个器件芯片相对应的至少一个第一凹槽；

在所述至少一个第一凹槽中埋入至少一个第一芯片；以及

在所述第一晶圆的靠近所述至少一个第一芯片的一侧，形成第一金属布线。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述至少一个第一凹槽之前，在所述第一晶圆的背离所述第一焊盘的一侧，减薄所述第一晶圆。

3.如权利要求1所述的方法，其中，在所述第一晶圆的靠近所述至少一个第一芯片的一侧，形成第一金属布线，包括：

在所述第一晶圆的靠近所述至少一个第一芯片的表面上，形成第一介质层；

在所述第一介质层中，形成第一过孔；以及

形成所述第一金属布线，所述第一金属布线将所述第一过孔电连接至所述第一硅通孔。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，在所述第一晶圆的靠近所述第一焊盘的一侧，将所述第一晶圆键合到第二晶圆，包括：

将所述第一晶圆的所述第一焊盘键合到所述器件晶圆的相应的焊盘区域。

5.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述至少一个第一芯片的面积小于所述至少一个器件芯片的面积。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述第一晶圆的靠近所述第一金属布线的一侧，将所述第一晶圆键合到第三晶圆。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述第三晶圆为器件晶圆，所述器件晶圆中形成有与所述至少一个第一芯片相对应的至少一个器件芯片，并且，

其中，在所述第一晶圆的靠近所述第一金属布线的一侧，将所述第一晶圆键合到第三晶圆，包括：

将所述第一晶圆的所述第一金属布线键合到所述器件晶圆的相应的焊盘区域。

8.如权利要求6所述的方法，其中，在所述第一晶圆的靠近所述第一金属布线的一侧，将所述第一晶圆键合到第三晶圆，包括：

在所述第三晶圆中形成第二硅通孔；

在所述第三晶圆的靠近所述第二硅通孔的一侧，形成至少一个第二凹槽；

在所述至少一个第二凹槽中埋入至少一个第二芯片；

在所述第三晶圆的靠近所述至少一个第二芯片的一侧，形成第二金属布线；

将所述第三晶圆的所述第二金属布线键合到所述第一晶圆的所述第一金属布线；以及

在所述第三晶圆的远离所述第二金属布线的一侧，在对应所述第二硅通孔的位置上形成第二焊盘。

9.如权利要求8所述的方法，还包括：

在形成所述第二焊盘之前，在所述第三晶圆的远离所述第二金属布线的一侧，减薄所述第三晶圆。

10.如权利要求6所述的方法，其中，在所述第一晶圆的靠近所述第一金属布线的一侧，将所述第一晶圆键合到第三晶圆，包括：

在第三晶圆中形成第二硅通孔；

在所述第三晶圆的对应所述第二硅通孔的位置上，形成第二焊盘；

将所述第三晶圆的所述第二焊盘键合到所述第一晶圆的所述第一金属布线；

在所述第三晶圆的远离所述第二焊盘的一侧，形成至少一个第二凹槽；

在所述至少一个第二凹槽中埋入至少一个第二芯片；以及

在所述第三晶圆的靠近所述至少一个第二芯片的一侧，形成第二金属布线。

11.如权利要求10所述的方法，还包括：

在形成所述至少一个第二凹槽之前，在所述第三晶圆的远离所述第二焊盘的一侧，减薄所述第三晶圆。