[发明专利]三维存储器的制造方法有效
申请号: | 202011105053.1 | 申请日: | 2020-10-15 |
公开(公告)号: | CN112018238B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王军红;张颖玲 |
地址: | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 存储器 制造 方法 | ||
1.一种三维存储器的制造方法,其特征在于,包括:
形成第三位线连接部;
形成与所述第三位线连接部接触的第三位线层的位线;
在所述第三位线层上形成与所述第三位线层接触的多个第四存储单元;
在所述第三位线层中相邻的两条位线的间隔中形成第二字线连接部;
在所述第四存储单元的上方形成与所述第四存储单元及所述第二字线连接部接触的第二字线层的字线;
在所述第二字线层上形成与所述第二字线层接触的多个第三存储单元;
在所述第三位线层中相邻的两条位线的间隔中形成第二位线连接部;
在所述第三存储单元的上方形成与所述第三存储单元及所述第二位线连接部接触的第二位线层的位线;
在所述第二位线层上形成与所述第二位线层接触的多个第二存储单元;
在所述第三位线层中相邻的两条位线的间隔中形成第一字线连接部;
在所述第二存储单元的上方形成与所述第二存储单元及所述第一字线连接部接触的第一字线层的字线;
在所述第一字线层上形成与所述第一字线层接触的多个第一存储单元;
在所述第三位线层的位线上形成与所述第三位线层的位线接触的第一位线连接部;
在所述第一存储单元的上方形成与所述第一存储单元及所述第一位线连接部接触的第一位线层的位线;
其中,所述第一位线层、第二位线层及第三位线层相互平行;所述第一位线层的位线、第二位线层的位线及第三位线层的位线相互平行,且所述第一位线层的位线、第二位线层的位线及第三位线层的位线在第一平面上的投影部分重合;所述第一字线层及第二字线层互相平行;所述第一字线层的字线及第二字线层的字线在所述第一平面上的投影均与所述第一位线层的位线在所述第一平面上的投影垂直;所述第一平面包括与所述第一位线层所在的平面以及所述第一字线层所在的平面均平行的平面;
所述第一位线层的每一条位线与所述第二位线层的对应位线在所述第一平面上的投影部分重合;所述第一位线层的每一条位线与所述第三位线层的对应位线在所述第一平面上的投影重合;所述第一字线层的每一条字线与所述第二字线层的对应字线在所述第一平面上的投影部分重合。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述在所述第三位线层中相邻的两条位线的间隔中形成第二字线连接部的步骤,包括:
在所述第三位线层中沿第二方向排列且相邻的两条位线的间隔中形成所述第二字线连接部;
所述在所述第三位线层中相邻的两条位线的间隔中形成第二位线连接部的步骤,包括:
在所述第三位线层中沿第一方向排列且相邻的两条位线的间隔中形成所述第二位线连接部;
所述在所述第三位线层中相邻的两条位线的间隔中形成第一字线连接部的步骤,包括:
在所述第三位线层中沿第二方向排列且相邻的两条位线的间隔中形成所述第一字线连接部;
其中,所述第一方向与所述第二方向垂直。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述形成第三位线层之前,在位线解码器区域上形成位线解码器;其中,所述位线解码器区域包括所述第二位线连接部及所述第三位线连接部分别在第二平面的投影所在的区域;所述位线解码器通过相应的位线连接部连接到各位线上;所述第二平面包括位于所述第三位线层下方且与所述第三位线层所在的平面平行的平面。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述形成第三位线层之前,在字线解码器区域上形成字线解码器;其中,所述字线解码器区域包括所述第一字线连接部及所述第二字线连接部分别在第二平面的投影所在的区域;所述字线解码器通过相应的字线连接部连接到各字线上;所述第二平面包括位于所述第三位线层下方且与所述第三位线层所在的平面平行的平面。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述形成第三位线层之前,在位线驱动器区域上形成位线驱动器;其中,所述位线驱动器区域包括所述第二位线连接部及所述第三位线连接部分别在第三平面的投影所在的区域;所述位线驱动器通过相应的位线连接部连接到各位线上;所述第三平面包括位于所述第三位线层下方且与所述第三位线层所在的平面平行的平面。
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