[发明专利]三维存储器的制造方法

说明书

本发明实施例提供了一种三维存储器的制造方法，包括：形成四层堆叠的存储单元模块的三维存储器；其中，每一层存储单元模块的制造方法包括：形成第一地址线材料层；在所述第一地址线材料层上形成多个存储单元；在所述多个存储单元上方形成第二地址线材料层；其中，所述第一地址线材料层的地址线在第一平面上的投影和所述第二地址线材料层的地址线在所述第一平面上的投影互相垂直；不同存储单元模块中的各第一地址线材料层的地址线在所述第一平面上的投影部分重合；不同存储单元模块中的各第二地址线材料层的地址线在所述第一平面上的投影部分重合。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器的制造方法。

背景技术

相变存储器（PCM，Phase Change Memory）是一种使用硫族化合物作为存储介质的存储技术，利用材料在不同状态下的电阻差异来保存数据。PCM具有可按位寻址、断电后数据不丢失、存储密度高、读写速度快等优势，被认为是最有前景的下一代存储器。

相关技术中，主流的三维相变存储器的架构包括两层堆叠的存储单元。然而，两层堆叠的存储单元架构不能提供足够的位密度，无法与主流的动态随机存取存储器（DRAM，Dynamic Random Access Memory）和NAND型存储器竞争。为了提高三维相变存储器的竞争力，有必要提高三维相变存储器的位密度，以降低比特成本。

发明内容

为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种三维存储器的制造方法。

本发明实施例提供了一种三维存储器的制造方法，包括：

形成四层堆叠的存储单元模块的三维存储器；其中，每一层存储单元模块的制造方法包括：

形成第一地址线材料层；在所述第一地址线材料层上形成多个存储单元；在所述多个存储单元上方形成第二地址线材料层；其中，所述第一地址线材料层的地址线在第一平面上的投影和所述第二地址线材料层的地址线在所述第一平面上的投影互相垂直；

不同存储单元模块中的各第一地址线材料层的地址线在所述第一平面上的投影部分重合；不同存储单元模块中的各第二地址线材料层的地址线在所述第一平面上的投影部分重合。

上述方案中,所述形成四层堆叠的存储单元模块的三维存储器的步骤，包括：

采用逐层堆叠的方式依次形成四层堆叠的存储单元模块的三维存储器。

上述方案中,所述第一地址线材料层包括位线层，所述第二地址线材料层包括字线层；或者，所述第一地址线材料层包括字线层，所述第二地址线材料层包括位线层；上下相邻的两个存储单元之间相接触的第一地址线材料层和第二地址线材料层共用；

所述采用逐层堆叠的方式依次形成四层堆叠的存储单元模块的三维存储器的步骤，包括：

形成第三位线层；

在所述第三位线层上形成与所述第三位线层接触的多个第四存储单元；

在所述第四存储单元的上方形成与所述第四存储单元接触的第二字线层；

在所述第二字线层上形成与所述第二字线层接触的多个第三存储单元；

在所述第三存储单元的上方形成与所述第三存储单元接触的第二位线层；

在所述第二位线层上形成与所述第二位线层接触的多个第二存储单元；

在所述第二存储单元的上方形成与所述第二存储单元接触的第一字线层；

在所述第一字线层上形成与所述第一字线层接触的多个第一存储单元；

在所述第一存储单元的上方形成与所述第一存储单元接触的第一位线层；