[发明专利]立式晶舟位置的检测系统及检测方法有效
申请号: | 202011106131.X | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN112331584B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 杨德明;张召 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01S17/06 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 罗雅文 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 立式 位置 检测 系统 方法 | ||
1.一种立式晶舟位置的检测系统,其特征在于,包括设置在立式晶舟顶部的至少三个挡板、反射板、激光发射器、光电传感器、信号处理器;
所述反射板用于反射激光;
所述信号处理器与所述光电传感器连接,所述信号处理器用于接收所述光电传感器发送的信号;
所有挡板设置在立式晶舟的顶部,每个挡板上开设有1个透光孔,所有挡板上的透光孔确定的平面与所述立式晶舟的顶部平行,其中,所述每个挡板上的透光孔距离晶舟顶部的高度相同,且挡板上的透光孔确定一个平面;
当所述立式晶舟位于传输装置上的预定晶舟位置且所述激光发射器发射激光时,第一组挡板上的透光孔位于所述激光的入射光路上,所述激光被所述反射板反射,第二组挡板上的透光孔和所述光电传感器位于所述激光的反射光路上;
其中,激光的入射光路和反射光路不重合。
2.根据权利要求1所述的立式晶舟位置的检测系统,其特征在于,所述激光发射器、所述光电传感器、所述反射板位于所述立式晶舟顶部的外侧。
3.根据权利要求1所述的立式晶舟位置的检测系统,其特征在于,所述挡板垂直设置在所述立式晶舟的顶部。
4.根据权利要求1所述的立式晶舟位置的检测系统,其特征在于,所述挡板的数量为3。
5.一种立式晶舟位置的检测方法,其特征在于,应用于如权利要求1至4任一所述的立式晶舟位置的检测系统中,所述方法包括:
调试立式晶舟位置的检测系统,令所述立式晶舟位置的检测系统与传输装置上的预定晶舟位置匹配;
开启激光发射器,所述激光发射器发射激光;
通过信号处理器检测光电传感器是否发送电信号;
若检测到所述光电传感器发送电信号,则确定立式晶舟位置未发生偏移;
若未检测到所述光电传感器发送电信号,则确定立式晶舟位置发生偏移。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述调试立式晶舟位置的检测系统,令所述立式晶舟位置的检测系统与传输装置上的预定晶舟位置匹配,包括:
在立式晶舟顶部设置至少三个挡板,每个挡板上开设有一个透光孔,所有挡板上的透光孔确定的平面与所述立式晶舟的顶部平行;
将所述立式晶舟安装在传输装置上的预定晶舟位置;
在所述立式晶舟顶部的一侧设置激光发射器和光电传感器,在所述立式晶舟顶部的另一侧设置反射板,将所述光电传感器与信号处理器连接;
调整所述激光发射器、所述反射板、所述光电传感器的位置,令所述激光发射器发射激光时,所述激光穿过第一组挡板上的透光孔,并到达反射板,所述激光经所述反射板反射后穿过第二组挡板上的透光孔,并被所述光电传感器接收;
固定所述激光发射器、所述反射板、所述光电传感器的位置。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述在立式晶舟顶部设置至少三个挡板,包括:
在所述立式晶舟顶部垂直设置至少三个挡板。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述光电传感器与所述信号处理器无线连接或有线连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体(无锡)有限公司,未经华虹半导体(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011106131.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种钢化玻璃生产用造型切割设备
- 下一篇:一种煤矿煤流主运输装置过载预警方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造