[发明专利]一种易于转移的微型发光二极管的制造方法在审
| 申请号： | 202011106340.4 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112397420A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 张有为;周宇;朱充沛;高威 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210033 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 易于 转移 微型 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种易于转移的微型发光二极管的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1：首先在蓝宝石衬底上沉积外延层，然后在所述外延层上涂覆光阻层；
S2：在步骤S1的基础上，在所述光阻层上涂覆牺牲层；
S3：提供一第一玻璃衬底和位于该第一玻璃衬底上的第一胶缓冲层，将带有第一胶缓冲层的第一玻璃衬底与步骤S2形成的牺牲层贴合；
S4：在步骤S3的基础上，剥离掉蓝宝石衬底；
S5：在步骤S4的基础上，对所述外延层进行刻蚀，形成微型发光二极管阵列结构；
S6：提供一第二玻璃衬底和位于该第二玻璃衬底上的第二胶缓冲层，将带有第二胶缓冲层的第二玻璃衬底与步骤S5形成的微型发光二极管阵列结构贴合；
S7：在步骤S6的基础上，剥离掉第一胶缓冲层和第一玻璃衬底，暴露出牺牲层；
S8：在步骤S7的基础上，对牺牲层和光阻层进行刻蚀，形成网状结构，使得相邻的微型发光二极管彼此连接；
S9：在步骤S8的基础上，对所述第二胶缓冲层进行解胶，使得第二胶缓冲层和第二玻璃衬底从微型发光二极管阵列结构处脱离；
S10：提供一带有键合区的基板，将步骤S9形成的微型发光二极管与基板的键合区进行键合；
S11：在步骤S10的基础上，剥离网状的牺牲层和光阻层，使微型发光二极管彼此独立的留在基板上。
2.根据权利要求1所述的易于转移的微型发光二极管的制造方法，其特征在于：所述牺牲层采用易于刻蚀的钛或锡。
3.根据权利要求1所述的易于转移的微型发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一胶缓冲层和第二胶缓冲层采用紫外光固化胶或热敏胶。
4.根据权利要求1所述的易于转移的微型发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤S4中采用激光剥离掉蓝宝石衬底。
5.根据权利要求1所述的易于转移的微型发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤S10中的键合可以是共晶合金键合、扩散键合或瞬态液相键合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
