[发明专利]一种易于转移的微型发光二极管的制造方法

说明书

本发明提供一种易于转移的微型发光二极管的制造方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上沉积外延层，在外延层上涂覆光阻层；在光阻层上涂覆牺牲层；将带有第一胶缓冲层的第一玻璃衬底与牺牲层贴合；剥离掉蓝宝石衬底；对外延层进行刻蚀，形成微型发光二极管阵列结构；将带有第二胶缓冲层的第二玻璃衬底与微型发光二极管阵列结构贴合；剥离掉第一胶缓冲层；对牺牲层和光阻层进行刻蚀；对第二胶缓冲层进行解胶；将微型发光二极管与一基板键合区进行键合；剥离网状的牺牲层和光阻层。本发明通过光阻层和牺牲层形成网状结构，将转移前的Micro LED彼此连接，Micro LED转移后使Micro LED彼此独立的留在基板上，该方法不仅可以提高Micro LED转移良率，而且增加了转移精度。

技术领域

本发明涉及LED封装的技术领域，特别涉及一种易于转移的微型发光二极管的制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有体积小、亮度高和能耗小的特点，被广泛应用在显示器和照明领域。微型发光二极管(简称Micro LED)是大小达到微米级的LED。

Micro LED显示器具有高效率、高亮度、高可靠度、节能、体积小和厚度小等优势，是新一代显示技术。Micro LED显示器制作过程中，需要将外延层经过一系列工艺制作成一颗一颗的LED，然后将其转移到驱动基板上。因为Micro LED的尺寸特别小，若形成MicroLED显示器需要把几百万颗的micro LED从生长基板上进行拾取，然后放置在驱动基板上。目前主流的转移技术是通过制作转移头，通过静电力、磁力或者其他力将micro LED吸取，再通过释放掉吸取力，实现micro LED的转移，但这种方法是每颗LED独立转移，每颗LED的转移结果都有可能不一致，偏移，高度差，受力不均等都会大大降低转移率，如何改善转移效果，是目前面临的一个难题。

发明内容

本发明的目的是提供易于转移的微型发光二极管的制造方法，旨在解决现有微型发光二极管巨量转移存在转移精度不高等问题。

本发明提供一种易于转移的微型发光二极管的制造方法，包括如下步骤：

S1：首先在蓝宝石衬底上沉积外延层，然后在所述外延层上涂覆光阻层；

S2：在步骤S1的基础上，在所述光阻层上涂覆牺牲层；

S3：提供一第一玻璃衬底和位于该第一玻璃衬底上的第一胶缓冲层，将带有第一胶缓冲层的第一玻璃衬底与步骤S2形成的牺牲层贴合；

S4：在步骤S3的基础上，剥离掉蓝宝石衬底；

S5：在步骤S4的基础上，对所述外延层进行刻蚀，形成微型发光二极管阵列结构；

S6：提供一第二玻璃衬底和位于该第二玻璃衬底上的第二胶缓冲层，将带有第二胶缓冲层的第二玻璃衬底与步骤S5形成的微型发光二极管阵列结构贴合；

S7：在步骤S6的基础上，剥离掉第一胶缓冲层和第一玻璃衬底，暴露出牺牲层；

S8：在步骤S7的基础上，对牺牲层和光阻层进行刻蚀，形成网状结构，使得相邻的微型发光二极管彼此连接；

S9：在步骤S8的基础上，对所述第二胶缓冲层进行解胶，使得第二胶缓冲层和第二玻璃衬底从微型发光二极管阵列结构处脱离；

S10：提供一带有键合区的基板，将步骤S9形成的微型发光二极管与基板的键合区进行键合；

S11：在步骤S10的基础上，剥离网状的牺牲层和光阻层，使微型发光二极管彼此独立的留在基板上。

进一步，所述牺牲层采用易于刻蚀的钛或锡。

进一步，所述第一胶缓冲层和第二胶缓冲层采用紫外光固化胶或热敏胶。