[发明专利]集成电路结构及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

第一处理器器件，具有前侧；

共享存储器器件，具有前侧和与前侧相对的后侧，所述共享存储器器件的前侧通过金属至金属接合和电介质至电介质接合接合至所述第一处理器器件的前侧；

第一介电层，横向地围绕所述共享存储器器件；

第一导电通孔，延伸穿过所述第一介电层；

第二处理器器件，具有前侧和与前侧相对的后侧，所述第一导电通孔将所述第一处理器器件的前侧连接至所述第二处理器器件的后侧，所述第二处理器器件的后侧通过金属至金属接合接合至所述第一导电通孔和所述共享存储器器件的后侧，所述第二处理器器件的后侧通过电介质至电介质接合接合至所述第一介电层，所述第一处理器器件和所述第二处理器器件的每个是不同类型的处理器器件；以及

第一再分布结构，连接至所述第二处理器器件的前侧。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

第二介电层，横向地围绕所述第二处理器器件；

第二导电通孔，延伸穿过所述第二介电层，所述第二导电通孔将所述第一再分布结构连接至所述共享存储器器件的后侧；以及

第三导电通孔，延伸穿过所述第一介电层和所述第二介电层，所述第三导电通孔将所述第一再分布结构连接至所述第一处理器器件的前侧。

3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述第一再分布结构包括电源源线和电源接地线，所述第二导电通孔和所述第三导电通孔的每个电耦合至所述电源源线和所述电源接地线。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述共享存储器器件包括衬底通孔(TSV)，所述第二处理器器件通过所述衬底通孔和所述第一导电通孔电耦合至所述第一处理器器件。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

无源器件，具有前侧和与前侧相对的后侧，所述无源器件的前侧通过金属至金属接合和电介质至电介质接合接合至所述第一处理器器件的前侧；

第二介电层，横向地围绕所述第二处理器器件；以及

第二导电通孔，延伸穿过所述第二介电层，所述第二导电通孔将所述第一再分布结构连接至所述无源器件的后侧。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述第一处理器器件是图形处理单元(GPU)，所述第二处理器器件是中央处理单元(CPU)，并且所述无源器件是用于图形处理单元的电源管理集成电路(PMIC)。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

密封剂，横向地围绕所述共享存储器器件、所述第一处理器器件、所述第二处理器器件和所述第一再分布结构；以及

第二再分布结构，与所述密封剂接触，所述第二再分布结构连接至所述第一再分布结构。

8.根据权利要求7所述的集成电路结构，还包括：

封装衬底；以及

导电连接件，将所述封装衬底连接至所述第二再分布结构。

9.一种集成电路结构，包括：

图形处理器器件；

无源器件，耦合至所述图形处理器器件，所述无源器件直接面对面地接合至所述图形处理器器件；

共享存储器器件，耦合至所述图形处理器器件，所述共享存储器器件直接面对面地接合至所述图形处理器器件；

中央处理器器件，耦合至所述共享存储器器件，所述中央处理器器件直接背对背地接合至所述共享存储器器件，所述中央处理器器件和所述图形处理器器件的每个具有比所述共享存储器器件小的技术节点的有源器件；以及

再分布结构，耦合至所述中央处理器器件、所述共享存储器器件、所述无源器件和所述图形处理器器件。

10.一种形成集成电路结构的方法，包括：

将共享存储器器件接合至第一处理器器件；

在所述共享存储器器件周围形成第一介电层；

形成延伸穿过所述第一介电层的第一导电通孔，所述第一导电通孔连接至所述第一处理器器件；

将第二处理器器件接合至所述第一导电通孔、所述第一介电层和所述共享存储器器件，所述第一处理器器件和所述第二处理器器件的每个是不同类型的处理器器件；

在所述第二处理器器件周围形成第二介电层；

形成延伸穿过所述第二介电层的第二导电通孔，所述第二导电通孔连接至所述共享存储器器件；

形成延伸穿过所述第一介电层和所述第二介电层的第三导电通孔，所述第三导电通孔连接至所述第一处理器器件；以及

在所述第二导电通孔、所述第三导电通孔、所述第二介电层和所述第二处理器器件上形成再分布结构。