[发明专利]集成电路结构及其形成方法

说明书

在实施例中，一种结构包括：图形处理器器件；无源器件，耦合至图形处理器器件，该无源器件直接面对面地接合至图形处理器器件；共享存储器器件，耦合至图形处理器器件，共享存储器器件直接面对面地接合至图形处理器器件；中央处理器器件，耦合至共享存储器器件，中央处理器器件直接背对背地接合至共享存储器器件，中央处理器器件和图形处理器器件的每个具有比共享存储器器件小的技术节点的有源器件；以及再分布结构，耦合至中央处理器器件、共享存储器器件、无源器件和图形处理器器件。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，集成电路管芯变得越来越小。此外，更多功能正在集成到管芯中。因此，管芯所需的输入/输出(I/O)焊盘的数量增大，而可用于I/O焊盘的面积减小。I/O焊盘的密度随着时间迅速提高，增加了管芯封装的难度。一些应用要求更大的集成电路管芯的并行处理能力。封装技术可以用于集成多个管芯，允许更大程度的并行处理能力。

在一些封装技术中，集成电路管芯是在封装之前从晶圆分割出来的。这种封装技术的优点是可以形成扇出封装件，这允许将管芯上的I/O焊盘再分布到更大的区域。管芯的表面上的I/O焊盘的数量因此可以增加。

发明内容

本发明的实施例提供了一种集成电路结构，包括：第一处理器器件，具有前侧；共享存储器器件，具有前侧和与前侧相对的后侧，所述共享存储器器件的前侧通过金属至金属接合和电介质至电介质接合接合至所述第一处理器器件的前侧；第一介电层，横向地围绕所述共享存储器器件；第一导电通孔，延伸穿过所述第一介电层；第二处理器器件，具有前侧和与前侧相对的后侧，所述第一导电通孔将所述第一处理器器件的前侧连接至所述第二处理器器件的后侧，所述第二处理器器件的后侧通过金属至金属接合接合至所述第一导电通孔和所述共享存储器器件的后侧，所述第二处理器器件的后侧通过电介质至电介质接合接合至所述第一介电层，所述第一处理器器件和所述第二处理器器件的每个是不同类型的处理器器件；以及第一再分布结构，连接至所述第二处理器器件的前侧。

本发明的另一实施例提供了一种集成电路结构，包括：图形处理器器件；无源器件，耦合至所述图形处理器器件，所述无源器件直接面对面地接合至所述图形处理器器件；共享存储器器件，耦合至所述图形处理器器件，所述共享存储器器件直接面对面地接合至所述图形处理器器件；中央处理器器件，耦合至所述共享存储器器件，所述中央处理器器件直接背对背地接合至所述共享存储器器件，所述中央处理器器件和所述图形处理器器件的每个具有比所述共享存储器器件小的技术节点的有源器件；以及再分布结构，耦合至所述中央处理器器件、所述共享存储器器件、所述无源器件和所述图形处理器器件。

本发明的又一实施例提供了一种形成集成电路结构的方法，包括：将共享存储器器件接合至第一处理器器件；在所述共享存储器器件周围形成第一介电层；形成延伸穿过所述第一介电层的第一导电通孔，所述第一导电通孔连接至所述第一处理器器件；将第二处理器器件接合至所述第一导电通孔、所述第一介电层和所述共享存储器器件，所述第一处理器器件和所述第二处理器器件的每个是不同类型的处理器器件；在所述第二处理器器件周围形成第二介电层；形成延伸穿过所述第二介电层的第二导电通孔，所述第二导电通孔连接至所述共享存储器器件；形成延伸穿过所述第一介电层和所述第二介电层的第三导电通孔，所述第三导电通孔连接至所述第一处理器器件；以及在所述第二导电通孔、所述第三导电通孔、所述第二介电层和所述第二处理器器件上形成再分布结构。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A、图1B、图1C和图1D是根据一些实施例的半导体器件的截面图。

图2A、图2B、图2C和图2D是根据一些实施例的集成电路封装件的各种视图。