[发明专利]半导体器件、半导体器件的制造方法及封装件在审
| 申请号： | 202011106489.2 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112687628A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 吴俊毅;余振华;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L25/16;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 封装 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在第一半导体器件的导电焊盘上放置金属芯焊料球，其中，所述金属芯焊料球包括由焊料材料围绕的金属芯；以及
形成器件结构，形成所述器件结构包括：
在载体衬底上放置所述第一半导体器件；
用密封剂密封所述第一半导体器件，其中，所述密封剂覆盖所述金属芯焊料球；
在所述密封剂上实施平坦化工艺，其中，所述平坦化工艺暴露所述金属芯焊料球；以及
在所述密封剂和所述第一半导体器件上方形成再分布结构，其中，所述再分布结构电连接至所述金属芯焊料球。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述导电焊盘上放置所述金属芯焊料球之后，在所述金属芯焊料球上实施回流工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述载体衬底上放置第二半导体器件。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二半导体器件包括金属芯焊料球，其中，所述再分布结构电连接至所述金属芯焊料球。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二半导体器件包括焊料凸块，其中，所述再分布结构电连接至所述焊料凸块。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述平坦化工艺去除所述金属芯焊料球的上部。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在实施所述平坦化工艺之后，每个金属芯焊料球具有与所述密封剂的表面齐平的表面。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属芯包括铜。
9.一种半导体器件，包括：
多个半导体器件，位于载体衬底上，其中，每个半导体器件包括在所述半导体器件的与所述载体衬底相对的一侧上设置的金属芯焊料球；
模制材料，位于所述多个半导体器件上方，其中，所述多个半导体器件的每一者通过所述模制材料分隔开，其中，每个半导体器件的所述金属芯焊料球具有与所述模制材料齐平的平坦表面；
再分布结构，位于所述多个半导体器件上方，其中，所述再分布结构电连接至所述多个半导体器件的每一者，其中，所述再分布结构电连接至每个半导体器件的所述金属芯焊料球；以及
多个导电连接器，位于所述再分布结构上，其中，所述导电连接器电连接至所述再分布结构。
10.一种封装件，包括：
器件结构，该器件结构包括电连接至至少一个第一半导体器件的再分布结构，其中，所述至少一个第一半导体器件通过多个金属芯焊料球电连接至所述再分布结构，其中，所述多个金属芯焊料球的每一者包括至少部分地由焊料材料覆盖的金属球，并且其中，所述再分布结构和所述至少一个半导体器件由模制材料围绕。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011106489.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
