[发明专利]半导体器件、半导体器件的制造方法及封装件

说明书

一种制造半导体器件的方法，包括在第一半导体器件的导电焊盘上放置金属芯焊料球，其中，所述金属芯焊料球包括由焊料材料围绕的金属芯；以及形成器件结构，形成所述器件结构包括：在载体衬底上放置所述第一半导体器件；用密封剂密封所述第一半导体器件，其中，所述密封剂覆盖所述金属芯焊料球；在所述密封剂上实施平坦化工艺，其中，所述平坦化工艺暴露所述金属芯焊料球；以及在所述密封剂和所述第一半导体器件上方形成再分布结构，其中，所述再分布结构电连接至所述金属芯焊料球。本申请的实施例还提供半导体器件及封装件。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体领域，具体地，涉及半导体器件、半导体器件的制造方法及封装件。

背景技术

半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的组件、从而将更多的功能集成至给定区域中。高功能集成电路需要多个输入/输出焊盘。然而，对于小型化非常重要的应用而言，可能期望小的封装。

集成扇出(InFO)封装技术正变得越来越流行，特别是当与晶圆级封装(WLP)技术结合时，其中集成电路封装在通常包括再分布层(RDL)或者后钝化互连的封装件中，该再分布层(RDL)或者后钝化互连用于扇出封装件接触焊盘的布线，从而在比集成电路的接触焊盘更大的间距上进行电接触。这样得到的封装结构提供了具有相对低成本和高性能封装的高功能密度。

发明内容

本申请的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在第一半导体器件的导电焊盘上放置金属芯焊料球，其中，金属芯焊料球包括由焊料材料围绕的金属芯；以及形成器件结构，形成器件结构包括：在载体衬底上放置述第一半导体器件；用密封剂密封第一半导体器件，其中，密封剂覆盖金属芯焊料球；在密封剂上实施平坦化工艺，其中，平坦化工艺暴露金属芯焊料球；以及在密封剂和第一半导体器件上方形成再分布结构，其中，再分布结构电连接至金属芯焊料球。

本申请的实施例还提供了一种半导体器件，包括：多个半导体器件，位于载体衬底上，其中，每个半导体器件包括在半导体器件的与载体衬底相对的一侧上设置的金属芯焊料球；模制材料，位于多个半导体器件上方，其中，多个半导体器件的每一者通过模制材料分隔开，其中，每个半导体器件的金属芯焊料球具有与模制材料齐平的平坦表面；再分布结构，位于多个半导体器件上方，其中，再分布结构电连接至多个半导体器件的每一者，其中，再分布结构电连接至每个半导体器件的金属芯焊料球；以及多个导电连接器，位于再分布结构上，其中，导电连接器电连接至再分布结构。

本申请的实施例另外提供了一种封装件，包括：器件结构，器件结构包括电连接至至少一个第一半导体器件的再分布结构，其中，至少一个第一半导体器件通过多个金属芯焊料球电连接至再分布结构，其中，多个金属芯焊料球的每一者包括至少部分地由焊料材料覆盖的金属球，并且其中，再分布结构和至少一个半导体器件由模制材料围绕。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的电子器件的截面图；

图2示出了根据一些实施例的在电子器件上放置的金属芯焊料球的截面图；

图3至图8示出了根据一些实施例的形成封装结构的中间步骤的截面图；

图9A示出了根据一些实施例的封装结构的截面图；

图9B示出了根据一些实施例的互连结构的截面图；

图10至图12示出了根据一些实施例的形成封装件的中间步骤的截面图；

图13A和图13B示出了根据一些实施例的在不同类型的载体衬底上形成封装结构的中间步骤。

具体实施方式