[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底上设置有多条位线，多条所述位线在所述基底上沿第一方向间隔排布；

多个隔离栅结构，所述隔离栅结构位于相邻的所述位线之间，且多个所述隔离栅结构在所述基底上沿第二方向间隔排布；

存储节点接触结构，所述存储节点接触结构位于相邻的所述隔离栅结构之间，且所述存储节点接触结构的底部延伸至所述基底中；

其中，所述隔离栅结构包括第一隔离部和包围在所述第一隔离部外周的第二隔离部；

所述第一隔离部的顶表面不低于所述位线的顶表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述基底上的绝缘介质层，所述第二隔离部的底部抵接所述绝缘介质层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括位线隔离层，所述位线隔离层位于所述位线的侧壁及顶表面，所述位线隔离层隔离所述位线和所述存储节点接触结构。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘介质层与所述位线隔离层材料相同或不同。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离部与所述绝缘介质层材料相同或不同。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离部的底部与所述绝缘介质层抵接。

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多条位线，多条所述位线沿第一方向间隔排布；

在相邻的所述位线之间形成多个隔离栅结构，多个所述隔离栅结构在所述基底上沿第二方向间隔排布；

在相邻的所述隔离栅结构之间形成存储节点接触结构，所述存储节点接触结构的底部延伸至所述基底中；

其中，所述隔离栅结构包括第一隔离部和包围在所述第一隔离部外周的第二隔离部，所述第一隔离部的顶表面不低于所述位线的顶表面。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成多条位线，多条所述位线沿第一方向间隔排布的步骤之后，在相邻的所述位线之间形成多个隔离栅结构，多个所述隔离栅结构在所述基底上沿第二方向间隔排布的步骤之前，还包括：

在所述基底上形成绝缘介质层；

在所述位线的侧壁及顶表面形成位线隔离层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在相邻的所述位线之间形成多个隔离栅结构，多个所述隔离栅结构在所述基底上沿第二方向间隔排布的步骤中，具体包括：

在相邻的所述位线之间形成牺牲介质层；

沿所述第二方向图形化所述牺牲介质层，在相邻的所述位线之间形成沿所述第二方向间隔排布的沟槽，所述沟槽暴露所述绝缘介质层；

在所述沟槽的至少部分侧壁上形成所述第一隔离部，在所述沟槽内形成所述第二隔离部，且所述第二隔离部的顶表面低于所述第一隔离部的顶表面，所述第一隔离部和所述第二隔离部形成所述隔离栅结构。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述沟槽的至少部分侧壁上形成所述第一隔离部，在所述沟槽内形成所述第二隔离部，且所述第二隔离部的顶表面低于所述第一隔离部的顶表面，所述第一隔离部和所述第二隔离部形成所述隔离栅结构的步骤中，具体包括：

在所述沟槽的至少部分侧壁上形成第一介质层；

在所述沟槽中形成第二介质层，回蚀刻所述第二介质层，形成所述第二隔离部；

在所述沟槽中的所述第二隔离部的顶表面上形成第三介质层；

回刻蚀所述牺牲介质层、所述第一介质层以及所述第三介质层，形成所述第一隔离部。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在相邻的所述隔离栅结构之间形成存储节点接触结构，所述存储节点接触结构的底部延伸至所述基底中的步骤中，具体包括：

去除相邻的所述隔离栅结构之间的所述牺牲介质层以及所述基底上的所述绝缘介质层，并在相邻的所述隔离栅结构之间形成暴露所述基底的开口；

在所述开口中形成所述存储节点接触结构。