[发明专利]量子点发光器件和电子设备

权利要求书

1.量子点发光器件，包括

第一电极和第二电极，

在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层，

设置在所述量子点层和所述第二电极之间的第一电子传输层和第二电子传输层，其中所述第二电子传输层设置在所述量子点层和所述第一电子传输层之间，并且所述第一电子传输层和所述第二电子传输层各自包括无机材料，

其中所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级比所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级浅，和所述量子点层的最低未占分子轨道能级比所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级浅。

2.如权利要求1所述的量子点发光器件，其中

在所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级和所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级之间的差为0.01eV至1.20eV，且

在所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级和所述量子点层的最低未占分子轨道能级之间的差为0.01eV至1.20eV。

3.如权利要求2所述的量子点发光器件，其中

在所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级和所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级之间的差为0.01eV至0.80eV，且

在所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级和所述量子点层的最低未占分子轨道能级之间的差为0.90eV至1.20eV。

4.如权利要求1所述的量子点发光器件，其中

所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级为3.2eV至4.8eV，

所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级为2.8eV至4.2eV，和

所述量子点层的最低未占分子轨道能级为2.5eV至3.6eV。

5.如权利要求1所述的量子点发光器件，其中

所述第一电子传输层包括第一金属氧化物纳米颗粒，和

所述第二电子传输层包括第二金属氧化物纳米颗粒，所述第二金属氧化物纳米颗粒不同于所述第一金属氧化物纳米颗粒，

条件是当所述第一金属氧化物纳米颗粒包括锌时，所述第二金属氧化物纳米颗粒不包括锌。

6.如权利要求5所述的量子点发光器件，其中所述第一金属氧化物纳米颗粒和所述第二金属氧化物纳米颗粒各自具有小于或等于10纳米的平均颗粒直径。

7.如权利要求1所述的量子点发光器件，其中所述第二电子传输层的无机材料包括铈氧化物、锶钛氧化物、铌氧化物、钡锡氧化物、或其组合。

8.如权利要求7所述的量子点发光器件，其中所述第二电子传输层包括铈氧化物纳米颗粒、锶钛氧化物纳米颗粒、铌氧化物纳米颗粒、钡锡氧化物纳米颗粒、或其组合。

9.如权利要求1所述的量子点发光器件，其中所述第二电子传输层包括n型掺杂剂。

10.如权利要求9所述的量子点发光器件，其中所述n型掺杂剂包括金属元素、金属化合物或金属盐，其包括碱金属、Sn、Ni、Co、Mo、V、Ga、Mn、Fe、Nb、Sr、Ba、In、Ca、Zr、W、Ti、Y、Al、或其组合。

11.如权利要求9所述的量子点发光器件，其中所述第二电子传输层包括铈氧化物和铯，基于所述第二电子传输层中的铈和铯原子的总数，所述铯以2原子百分数至16原子百分数的量存在。

12.如权利要求10所述的量子点发光器件，其中所述n型掺杂剂包括Cs、Rb、Li、Na、K、或得自如下的金属盐：碳酸铯、磷酸铯、钒酸铯、叠氮化铯、氮化锂、碳酸铷、或其组合。

13.如权利要求10所述的量子点发光器件，其中所述第二电子传输层包括铈氧化物和铯盐，并且基于所述第二电子传输层中的铈和铯原子的总数，以0.01原子百分数至40原子百分数的量包括铯。