[发明专利]量子点发光器件和电子设备

说明书

本发明涉及量子点发光器件和电子设备。量子点发光器件包括：第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、设置在所述量子点层和所述第二电极之间的第一电子传输层和第二电子传输层。所述第二电子传输层设置在所述量子点层和所述第一电子传输层之间，其中所述第一电子传输层和所述第二电子传输层各自包括无机材料。所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级比所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级浅，和所述量子点层的最低未占分子轨道能级比所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级浅。电子设备包括所述量子点发光器件。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月18日和2020年10月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0129887和10-2020-0133002的优先权、以及由其产生的所有权益，将其全部内容通过引用引入本文中。

技术领域

公开了量子点发光器件和包括所述量子点发光器件的电子设备。

背景技术

纳米颗粒的物理特性(例如，能带隙、熔点等)以及其它固有特性可通过改变纳米颗粒的颗粒尺寸而控制。例如，暴露于光能或电流的半导体纳米晶体颗粒(也称作量子点)可发射与量子点的颗粒尺寸对应的波长的光。对于给定组成的材料，发射的光的波长取决于颗粒尺寸，并且相对较小的颗粒尺寸的量子点发射较短波长的光。因此，量子点可通过调节颗粒尺寸而提供在合乎需要的波长区域中的光。

发明内容

包括量子点作为发光元件的量子点发光器件、和改善所述量子点发光器件的性能的方法是令人非常感兴趣的并且描述于本文中。

实施方式将提供量子点发光器件，其能够实现改善的发光运行性能，例如，如下的至少一种：较大的外量子效率、对于给定亮度值的较低的驱动电压、或改善的寿命。

实施方式将提供包括所述量子点发光器件的电子设备。

根据实施方式，量子点发光器件包括：第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、设置在所述量子点层和所述第二电极之间的第一电子传输层和第二电子传输层，其中所述第二电子传输层设置在所述量子点层和所述第一电子传输层之间，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层各自包括无机材料，所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级比所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级浅，和所述量子点层的最低未占分子轨道能级比所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级浅。

在所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级和所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级之间的差可为约0.01eV至约1.20eV，且在所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级和所述量子点层的最低未占分子轨道能级之间的差可为约0.01eV至约1.20eV。

在所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级和所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级之间的差可为约0.01eV至约0.80eV，且在所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级和所述量子点层的最低未占分子轨道能级之间的差为约0.90eV至约1.20eV。

所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级可范围为约3.2eV至约4.8eV，所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级可范围为约2.8eV至约4.2eV，和所述量子点层的最低未占分子轨道能级可范围为约2.5eV至约3.6eV。再次，能级的以上范围考虑到如下：所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级比所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级浅，和所述量子点层的最低未占分子轨道能级比所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级浅。

所述第一电子传输层可包括第一金属氧化物纳米颗粒，且所述第二电子传输层可包括不同于所述第一金属氧化物纳米颗粒的第二金属氧化物纳米颗粒。

所述第一金属氧化物纳米颗粒和所述第二金属氧化物纳米颗粒各自可具有小于或等于约10nm的平均颗粒直径。