[发明专利]一种芯片吸收谱的测量方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种芯片吸收谱的测量方法，其特征在于，所述芯片包括发射光器件和吸收光器件；其中，所述发射光器件用于向所述吸收光器件发射光信号；所述方法包括：

控制所述发射光器件向所述吸收光器件发射光信号；

控制所述吸收光器件吸收所述发射光信号，并采集所述吸收光器件的光吸收谱线；

基于所述吸收光器件的光吸收谱线，确定所述芯片的光吸收谱线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述吸收光器件吸收所述发射光信号，并采集所述吸收光器件的光吸收谱线，包括：

控制所述吸收光器件吸收所述发射光信号；

控制谱线分析装置采集所述吸收光器件吸收的光信号；

控制谱线分析装置对采集到的光信号进行谱线分析，得到所述吸收光器件的光吸收谱线。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制所述吸收光器件吸收所述发射光信号，包括：

控制所述吸收光器件在至少一种工作电压下；

基于所述至少一种工作电压，控制所述吸收光器件吸收至少一种强度的光信号。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述控制所述吸收光器件在至少一种工作电压下，包括：

控制所述吸收光器件工作在至少一种反向电压下；

或者，控制所述吸收光器件的工作电压为零。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述控制谱线分析装置对采集到的光信号进行谱线分析，得到所述吸收光器件的光吸收谱线，包括：

当所述吸收光器件的工作电压为零时，控制所述谱线分析装置对采集到的光信号进行谱线分析，得到第一光吸收谱线；

当所述吸收光器件的工作在至少一种反向电压时，控制谱线分析装置对采集到的光信号进行谱线分析，得到至少一种第二光吸收谱线。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述吸收光器件的光吸收谱线，确定所述芯片的光吸收谱线，包括：

基于所述第一光吸收谱线和所述至少一种第二光吸收谱线，确定所述芯片工作在所述至少一种反向电压下的光吸收谱线。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一光吸收谱线和所述至少一种第二光吸收谱线，确定所述芯片工作在所述至少一种反向电压下的光吸收谱线，包括：

所述第一光吸收谱线与所述至少一种第二光吸收谱线相减，得到所述芯片工作在所述至少一种反向电压下的光吸收谱线。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

基于所述至少一种第二光吸收谱线，确定出具备最大吸收度的第二光吸收谱线；

基于所述最大吸收度的第二光吸收谱线，确定对应的所述吸收光器件的最大反向工作电压；

将所述最大反向工作电压作为所述吸收光器件的饱和电压。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制谱线分析装置采集所述吸收光器件吸收的光信号，包括：

控制透镜对所述吸收光器件吸收的光信号进行光信号耦合，并通过光纤将所述透镜耦合到的光信号传输到所述谱线分析装置。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述控制谱线分析装置采集所述吸收光器件吸收的光信号之前，所述方法还包括：

设置所述谱线分析装置的工作参数；其中，所述工作参数至少包括以下一种：点平均模式、扫描平均模式及预设的滤波带宽。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述透镜为非球面透镜，且所述非球面透镜放置在靠近所述吸收光器件的端面的位置。