[发明专利]一种芯片吸收谱的测量方法、装置、设备及存储介质

说明书

本申请公开一种芯片吸收谱的测量方法、装置、设备及存储介质，芯片包括发射光器件和吸收光器件；其中，发射光器件用于向吸收光器件发射光信号；该方法包括：控制发射光器件向吸收光器件发射光信号；控制吸收光器件吸收发射光信号，并采集吸收光器件的光吸收谱线；基于吸收光器件的光吸收谱线，确定芯片的光吸收谱线。如此，通过芯片的发射光器件可以直接向吸收光器件发射光信号，去采集吸收光器件的光吸收谱线。由于芯片的光吸收能力主要取决于吸收光器件的光吸收能力，因此，根据吸收光器件的光吸收谱线，可确定芯片的光吸收谱线。

技术领域

本申请涉及吸收谱测量技术，尤其涉及一种芯片吸收谱的测量方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

电吸收调制激光器(Electrobsorption Modulated Distributed FeedbackLaser，EML)由于成本低、功耗低以及容易与其他光电子器件(例如光电探测器、半导体光放大器、耦合器)集成等优点，因此被广泛应用于光通信网络中。目前，10-Gb/s EML芯片作为发射光源被广泛用于中距离(40km)和长距离(80km)的光通信网络中，40-Gb/s的EML芯片也被用于短距离(2km)的光通信网络中。除此之外，4通道25-Gb/s的EML芯片阵列也已经被用于100-Gb/s的以太网系统。

EML芯片为电吸收调制器(Electro Absorption Modulator，EAM)与分布式反馈激光器(Distributed Feedback Laser，DFB-LD)的集成器件。由于EML芯片在工作状态下，DFB-LD是作为连续发射激光信号工作的，因此对其要求并不高，真正影响EML芯片工作特性的是EAM。所以说，对EAM吸收谱的测量对EML芯片的分析研究起着至关重要的作用。

目前对EML芯片吸收谱的测量方法有两种方法，具体如下：

第一种方法是：对EML芯片进行解理操作后将EAM单独取出，利用探针对EAM加负电压使其工作在反偏状态，利用工作在恒定功率模式下的可调谐激光器对EAM原出光端面发射光信号使光信号第一次耦合进EAM内部；再利用探测器对EAM解理端面发射光信号，使光信号第二次耦合进EAM内部，基于EAM对光信号的两次耦合，从而得出EML芯片吸收谱。

第二种方法是：对EML芯片进行解理操作后将EAM单独取出，利用探针对EAM加负电压使其工作在反偏状态，利用工作在恒定功率模式下的可调谐激光器对EAM原出光端面发射激光，使激光耦合进EAM内部，且在可调谐激光器扫描的同时，检测流过EAM上的光电流，从而推算EML芯片的吸收谱。

上述两种方法在检测过程中均需要对EML芯片进行解理且均需要可调谐激光器。虽然EAM为吸收器件，但EML芯片是不属于吸收类型的芯片，因此EAM端面的有源区面积很小，想要将可调谐激光器发射的激光耦合到EAM内部存在一定的难度。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请期望提供一种芯片吸收谱的测量方法及系统。

本申请的技术方案是这样实现的：

第一方面，提供了一种芯片吸收谱的测量方法，所述芯片包括发射光器件和吸收光器件；其中，所述发射光器件用于向所述吸收光器件发射光信号；该方法包括：

控制所述发射光器件向所述吸收光器件发射光信号；

控制所述吸收光器件吸收所述发射光信号，并采集所述吸收光器件的光吸收谱线；

基于所述吸收光器件的光吸收谱线，确定所述芯片的光吸收谱线。

上述方案中，所述控制所述吸收光器件吸收所述发射光信号，并采集所述吸收光器件的光吸收谱线，包括：控制所述吸收光器件吸收所述发射光信号；控制谱线分析装置采集所述吸收光器件吸收的光信号；控制谱线分析装置对采集到的光信号进行谱线分析，得到所述吸收光器件的光吸收谱线。