[发明专利]被加工物的加工方法在审
申请号: | 202011108999.3 | 申请日: | 2020-10-16 |
公开(公告)号: | CN112768406A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 山田洋照 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
1.一种被加工物的加工方法,该被加工物在正面上形成有分割预定线且在背面上层叠有金属膜,其中,
该被加工物的加工方法包含如下的步骤:
槽形成步骤,在该被加工物的该正面上沿着该分割预定线形成未到达该金属膜的槽;
第一保护膜形成步骤,在实施了该槽形成步骤之后,利用第一保护剂形成对被加工物的该正面和该槽的内壁面进行包覆的第一保护膜,该第一保护剂具有浸入该槽的粘度;
第二保护膜形成步骤,在实施了该第一保护膜形成步骤之后,利用第二保护剂形成对被加工物的至少该正面进行包覆的第二保护膜;以及
激光加工步骤,在实施了该第二保护膜形成步骤之后,从被加工物的该正面侧沿着该槽照射对于被加工物具有吸收性的波长的激光束而将该金属膜断开。
2.根据权利要求1所述的被加工物的加工方法,其特征在于,
该第二保护剂的粘度比该第一保护剂的粘度高。
3.根据权利要求1所述的被加工物的加工方法,其特征在于,
该第一保护剂和该第二保护剂相同。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的被加工物的加工方法,其特征在于,
该被加工物的加工方法还包含如下的去除步骤:在实施了该激光加工步骤之后,将该第一保护膜和该第二保护膜去除。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造