[发明专利]被加工物的加工方法

说明书

提供被加工物的加工方法，被加工物(晶片(1))在正面(1a)上设定有分割预定线(3)且在背面(1b)上层叠有金属膜(21)，该方法包含：槽形成步骤，在被加工物的正面上沿着分割预定线形成未到达金属膜的槽(30)；第一保护膜形成步骤，在实施了槽形成步骤之后，利用浸入槽的粘度的第一保护剂形成对被加工物的正面和槽的内壁面进行包覆的第一保护膜(41)；第二保护膜形成步骤，在实施了第一保护膜形成步骤之后，利用第二保护剂形成对被加工物的至少正面进行包覆的第二保护膜(42)；和激光加工步骤，在实施了第二保护膜形成步骤之后，从被加工物的正面侧沿着槽照射对于被加工物具有吸收性的波长的激光束(94)而将金属膜断开。

技术领域

本发明涉及被加工物的加工方法，该被加工物是在正面上设定有分割预定线且在背面上层叠有金属膜的半导体晶片。

背景技术

以往例如如专利文献1所公开的那样，对于在背面上形成有金属膜的半导体晶片而言，已知有一种加工方法，该加工方法具有如下的步骤：切削步骤，通过切削刀具在正面上形成切削槽；保护膜形成步骤，利用保护膜对正面和切削槽进行包覆；激光加工步骤，对金属膜照射激光束而将晶片和金属膜断开；以及保护膜去除步骤，通过清洗而将保护膜去除。

根据该加工方法，对金属膜照射激光束而产生的金属碎屑附着于保护膜而能够与保护膜一起去除，能够不残留在器件侧。

专利文献1：日本特开2018-78162号公报

但是，确认到有时也由于切削槽的槽宽度较窄等原因导致保护剂不容易充分浸入切削槽，不容易在切削槽的内壁面上形成保护膜。

这里，考虑若使用粘度低的保护剂，则保护剂容易浸入切削槽。

但是，在粘度低的保护剂的情况下，担心难以在晶片的正面上形成充分的厚度的保护膜层，并且在切削槽的缘部分，保护膜溶解或剥离而使晶片的正面露出，从而金属碎屑会附着于露出的部分。

并且，当像这样金属碎屑附着于露出部位时，担心会损伤芯片的侧面(切削槽的内壁面)或正面的器件。

发明内容

本发明鉴于以上的问题提供被加工物的加工方法，对于利用保护膜层对芯片的侧面(切削槽的内壁面)和正面进行保护的技术，提出了新的方法。

根据本发明的一个方式，提供被加工物的加工方法，该被加工物在正面上形成有分割预定线且在背面上层叠有金属膜，其中，该被加工物的加工方法包含如下的步骤：槽形成步骤，在该被加工物的该正面上沿着该分割预定线形成未到达该金属膜的槽；第一保护膜形成步骤，在实施了该槽形成步骤之后，利用第一保护剂形成对被加工物的该正面和该槽的内壁面进行包覆的第一保护膜，该第一保护剂具有浸入该槽的粘度；第二保护膜形成步骤，在实施了该第一保护膜形成步骤之后，利用第二保护剂形成对被加工物的至少该正面进行包覆的第二保护膜；以及激光加工步骤，在实施了该第二保护膜形成步骤之后，从被加工物的该正面侧沿着该槽照射对于被加工物具有吸收性的波长的激光束而将该金属膜断开。

另外，根据本发明的一个方式，该第二保护剂的粘度比该第一保护剂的粘度高。

根据本发明的一个方式，该第一保护剂和该第二保护剂相同。

根据本发明的一个方式，该被加工物的加工方法还包含如下的去除步骤：在实施了该激光加工步骤之后，将该第一保护膜和该第二保护膜去除。

根据本发明的结构，能够利用双重的保护膜可靠地保护被加工物的正面及槽的内壁面，能够防止通过激光加工而产生的金属碎屑附着于被加工物的正面及槽的内壁面。

附图说明

图1是示出作为通过本发明进行加工的被加工物的一例的半导体晶片的图。

图2是对用于实施正面侧槽形成步骤的加工装置的例子进行说明的图。