[发明专利]红外非线性光学晶体KAg3在审

专利信息
申请号: 202011109368.3 申请日: 2020-10-16
公开(公告)号: CN112323145A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 郭胜平;李佳诺 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B1/10;G02F1/355
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 邹伟红
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 红外 非线性 光学 晶体 kag base sub
【权利要求书】:

1.一种红外非线性光学晶体,其特征在于,它的化学式为KAg3Ga8Se14,分子量为2025.91,结晶于非中心对称的单斜晶系空间群Cm,其晶胞参数为:a = 12.8805(5) Å, b =11.6857(4) Å, c = 9.6600(4) Å, α = γ = 90°, β = 115.9980(1)°, Z = 2, 单胞体积为1306.87(9) Å3

2. 一种红外非线性光学晶体的制备方法,其特征在于,采用高温固相合成法,具体包括如下步骤:将Ag源材料、Ga源材料、Se单质按照Ag:Ga:Se = 3:8:14的摩尔比投料,加入过量的碘化钾作为K源以及助熔剂,混合研磨后压片,然后用火焰密封于抽真空的石英管中,在800~1000 ℃下反应24小时以上,然后以3~6 ℃/小时的降温速度缓慢降温至400 ℃或以下,得到含有橙色KAg3Ga8Se14晶体的产物,使用蒸馏水或无水乙醇洗涤产物,经超声波处理分离,干燥后得到KAg3Ga8Se14晶体。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述Ag源材料为Ag单质或氧化银。

4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述Ga源材料为Ga单质或氧化镓。

5. 如权利要求2所述的方法,其特征在于,当Ag源材料、Ga源材料为氧化物时,加入B:O= 2:3的B单质作为还原剂。

6.如权利要求1所述的红外非线性光学晶体在制备非线性光学器件中的用途。

7.如权利要求6所述的用途,其特征在于,所述非线性光学器件包含将至少一束入射电磁辐射通过所述红外非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于所述入射电磁辐射的输出辐射的装置。

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