[发明专利]红外非线性光学晶体KAg3

说明书

本发明涉及一种红外非线性光学晶体KAg₃Ga₈Se₁₄及其制备方法和用途。该晶体的化学式为KAg₃Ga₈Se₁₄，分子量为2025.91，结晶于非中心对称的单斜晶系空间群Cm，其晶胞参数为：a=12.8805(5)Å,b=11.6857(4)Å,c=9.6600(4)Å,α=γ=90°,β=115.9980(1)°,Z=2,单胞体积为1306.87(9)ų。本发明提供的KAg₃Ga₈Se₁₄晶体具有倍频效应高、抗激光损伤阈值高、红外透过范围宽、空气中稳定等优点，是一种新的红外非线性光学晶体材料，可作为近红外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。

技术领域

本发明属于非线性光学晶体技术领域，特别涉及一种二阶非线性光学晶体及制备方法和作为非线性光学器件的用途。

背景技术

非线性光学（NLO）晶体作为一类基于激光技术应用上的新型功能材料，具有倍频、和频、差频、参量放大等效应，只有无对称中心的晶体才具备非线性光学效应，而这种非线性光学晶体是通过激光频率转换以获得更多波长的不可或缺的部件。被制成二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等器件，可应用于激光武器、激光存储、通讯传感等重要领域。

当前紫外、可见-近红外波段的非线性光学晶体已经可以满足实际应用的需求；如在二倍频（532 nm）的晶体主要有LBO（LiB₃O₅）、BBO（β-BaB₂O₄）、KTP（KTiOPO₄）；在三倍频（355nm）晶体有BBO、LBO、CBO（CsB₃O₅）。与之相比，在红外波段的非线性光学晶体发展还很缓慢。包括黄铜矿结构的AGS（AgGaS₂）和ZGP（ZnGeP₂）等较为成功的红外非线性光学晶体存在着严重的缺陷，限制了它们的应用。因此，探寻具有综合性能优良的新型红外非线性光学晶体以满足应用是十分必要的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种KAg₃Ga₈Se₁₄非线性光学晶体。

本发明的另一目的在于提供KAg₃Ga₈Se₁₄非线性光学晶体的制备方法。

本发明的再一目的在于提供KAg₃Ga₈Se₁₄非线性光学晶体的用途。

实现本发明目的的技术解决方案如下：

本发明提供的KAg₃Ga₈Se₁₄非线性光学晶体，该KAg₃Ga₈Se₁₄非线性光学晶体不具备对称中心，属于单斜晶系，空间群为Cm，其晶胞参数为：a = 12.8805(5) Å, b = 11.6857(4) Å,c = 9.6600(4) Å, α = γ = 90°, β = 115.9980(1)°, Z = 2, 单胞体积为1306.87(9)ų，分子量为2025.91。