[发明专利]非绝缘型功率模块在审

专利信息
申请号: 202011109448.9 申请日: 2020-10-16
公开(公告)号: CN112768431A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 中村宏之 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L25/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 绝缘 功率 模块
【说明书】:

本发明的目的在于,在非绝缘型功率模块中,兼顾确保绝缘距离和确保芯片搭载面积。非绝缘型功率模块(101)具有:多个芯片焊盘(3);多个半导体芯片,它们搭载于多个芯片焊盘(3)的上表面(31);以及封装件(10),其将半导体芯片封装,多个芯片焊盘(3)的下表面(32)从封装件(10)的下表面(11)露出,在封装件(10)的下表面(11)的位于多个芯片焊盘(3)之间的区域形成第1槽(12),就多个芯片焊盘(3)而言,厚度方向的截面形状是梯形,上表面(31)的面积比下表面(32)的面积大。

技术领域

本发明涉及非绝缘型功率模块。

背景技术

就非绝缘型模块而言,搭载有功率芯片的芯片焊盘在封装件的下表面露出。在封装件的下表面安装散热鳍片。此时,为了将在封装件的下表面露出的芯片焊盘与散热鳍片绝缘,需要在封装件与散热鳍片之间插入具有柔性的绝缘部件。在专利文献1中,公开了在非绝缘型模块处为了确保芯片焊盘与散热鳍片之间的绝缘距离,在封装件的下表面设置凹部。

专利文献1:国际公开第2013/099545号

发明内容

在封装件的下表面,在露出于封装件下表面的多个芯片焊盘之间的区域设置槽,由此能够确保芯片焊盘与散热鳍片之间的绝缘距离。但是,如果采用这样的构造,则存在芯片焊盘的芯片搭载面积减少这一问题。本发明就是为了解决上述的问题而提出的,其目的在于,在非绝缘型功率模块中,兼顾确保绝缘距离和确保芯片搭载面积。

本发明的非绝缘型功率模块具有:多个芯片焊盘;多个半导体芯片,它们搭载于多个芯片焊盘的上表面;以及封装件,其将多个半导体芯片封装,多个芯片焊盘的下表面从封装件的下表面露出,在封装件的下表面的位于多个芯片焊盘之间的区域形成第1槽,就多个芯片焊盘而言,厚度方向的截面形状是梯形,上表面的面积比下表面的面积大。

发明的效果

就本发明的非绝缘型功率模块而言,在封装件的下表面的位于多个芯片焊盘之间的区域形成第1槽,因此在隔着绝缘部件而将散热鳍片安装于封装件的下表面时,绝缘部件进入至第1槽,由此芯片焊盘之间的绝缘距离变长,绝缘耐量提高。另外,多个芯片焊盘呈上表面的面积比下表面的面积大的梯形的截面形状,因此即使通过在封装件的下表面形成第1槽而使芯片焊盘的下表面的面积变小,也能够确保芯片焊盘的上表面、即芯片搭载面的面积。

附图说明

图1是从下侧观察实施方式1的非绝缘型功率模块的俯视图。

图2是实施方式1的非绝缘型功率模块的图1中的A-A剖面图。

图3是实施方式1的非绝缘型功率模块的图1中的B-B剖面图。

图4是表示在实施方式1的非绝缘型功率模块安装有散热鳍片的状态的剖面图。

图5是从下侧观察实施方式2的非绝缘型功率模块的俯视图。

图6是实施方式2的非绝缘型功率模块的图4中的C-C剖面图。

图7是实施方式2的非绝缘型功率模块的图4中的D-D剖面图。

图8是表示在实施方式2的非绝缘型功率模块安装有散热鳍片的状态的剖面图。

图9是从下侧观察实施方式3的非绝缘型功率模块的俯视图。

图10是实施方式3的非绝缘型功率模块的图7中的E-E剖面图。

图11是实施方式3的非绝缘型功率模块的图7中的F-F剖面图。

图12是表示在实施方式3的非绝缘型功率模块安装有散热鳍片的状态的剖面图。

标号的说明

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