[发明专利]集成电路封装及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路封装，其特征在于包括：

处理器晶粒，包括电路区块，所述电路区块包括具有第一技术节点的有源装置；

电源闸控晶粒，包括具有第二技术节点的功率半导体装置，所述第二技术节点大于所述第一技术节点；以及

第一重布线结构，包括第一金属化图案，所述第一金属化图案包括电力供应源线及电力供应接地线，其中所述电路区块的第一子集经由所述功率半导体装置电性耦合至所述电力供应源线及所述电力供应接地线，且所述电路区块的第二子集永久地电性耦合至所述电力供应源线及所述电力供应接地线。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装，还包括：

封装衬底；以及

导电连接件，连接至所述封装衬底及所述第一重布线结构的所述第一金属化图案。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中所述处理器晶粒与所述电源闸控晶粒藉由介电质对介电质结合及藉由金属对金属结合直接结合，且所述集成电路封装还包括：

导通孔，连接至所述处理器晶粒及所述第一重布线结构的所述第一金属化图案；以及

介电层，环绕所述导通孔及所述电源闸控晶粒，所述介电层及所述电源闸控晶粒各自设置于所述第一重布线结构与所述处理器晶粒之间，所述第一重布线结构、所述介电层及所述处理器晶粒在侧向上毗连。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中所述处理器晶粒与所述电源闸控晶粒藉由介电质对介电质结合及藉由金属对金属结合直接结合，且所述集成电路封装还包括：

导通孔，连接至所述处理器晶粒及所述第一重布线结构的所述第一金属化图案；

介电层，环绕所述导通孔及所述电源闸控晶粒，所述介电层及所述电源闸控晶粒各自设置于所述第一重布线结构与所述处理器晶粒之间，所述介电层与所述处理器晶粒在侧向上毗连；以及

包封体，环绕所述处理器晶粒及所述介电层，所述包封体与所述第一重布线结构在侧向上毗连。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中所述第一重布线结构的所述第一金属化图案连接至所述电源闸控晶粒，且所述集成电路封装还包括：

第二重布线结构，设置于所述处理器晶粒与所述电源闸控晶粒之间，所述第二重布线结构包括第二金属化图案，所述处理器晶粒连接至所述第二金属化图案；

第一包封体，环绕所述电源闸控晶粒；

导通孔，延伸穿过所述第一包封体，所述导通孔连接至所述第一重布线结构的所述第一金属化图案及所述第二重布线结构的所述第二金属化图案；以及

第二包封体，环绕所述处理器晶粒，所述第二包封体、所述第二重布线结构、所述第一包封体及所述第一重布线结构在侧向上毗连。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中所述第一重布线结构的所述第一金属化图案连接至所述电源闸控晶粒，且所述集成电路封装还包括：

第二重布线结构，设置于所述处理器晶粒与所述电源闸控晶粒之间，所述第二重布线结构包括第二金属化图案，所述处理器晶粒连接至所述第二金属化图案；

第一包封体，环绕所述电源闸控晶粒；

导通孔，延伸穿过所述第一包封体，所述导通孔连接至所述第一重布线结构的所述第一金属化图案及所述第二重布线结构的所述第二金属化图案；

第二包封体，环绕所述处理器晶粒，所述第二包封体、所述第二重布线结构及所述第一包封体在侧向上毗连；以及

第三包封体，环绕所述第二包封体、所述第二重布线结构及所述第一包封体，所述第三包封体与所述第一重布线结构在侧向上毗连。