[发明专利]存储器测试方法、装置、设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 202011110688.0 申请日: 2020-10-16
公开(公告)号: CN114385426A 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 许小峰 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 孙宝海;袁礼君
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 存储器 测试 方法 装置 设备 存储 介质
【说明书】:

本公开提供一种存储器测试方法、装置、设备及存储介质,涉及半导体技术领域。该方法包括:获取待测试存储器的中央处理器可访问空间;获取所述待测试存储器的图形处理器可访问空间;驱动所述中央处理器基于所述中央处理器可访问空间运行测试程序,以通过待测试存储器总线访问所述待测试存储器,其中,所述中央处理器运行所述测试程序时控制所述图形处理器基于所述图形处理器可访问空间通过所述待测试存储器总线访问所述待测试存储器。该方法实现了对存储器进行访问负载度较高的压力测试,增强存储器测试的效果。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种存储器测试方法、装置、设备及可读存储介质。

背景技术

随着半导体工艺尺寸不断缩小,集成电流设计的规模越来越大,高度复杂的集成电路产品正面临着高可靠性、高质量等日益严峻的挑战。动态随机存取存储器(DynamicRandom Access Memory,DRAM))是与中央处理器(Central Processing Unit,CPU)直接交换数据的内部存储器,它可以随时读写,例如低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Low Power Double Data Rate SDRAM,LPDDR)常常用于手机、平板电脑等一些手持的设备中的片上系统(System-on-a-chip,SoC),所以对LPDDR等存储器的系统级的压力测试就显得十分重要。

相关技术中通过在操作系统上运行测试软件对存储器进行访问测试,但测试时存储器访问的负载度较低,压力测试的效果较差。

如上所述,如何提高存储器压力测试的负载度成为亟待解决的问题。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种存储器测试、装置、设备及可读存储介质,至少在一定程度上提高存储器压力测试的负载度。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一方面,提供一种存储器测试方法,包括:获取待测试存储器的中央处理器可访问空间;获取所述待测试存储器的图形处理器可访问空间;驱动所述中央处理器基于所述中央处理器可访问空间运行测试程序,以通过待测试存储器总线访问所述待测试存储器,其中,所述中央处理器运行所述测试程序时控制所述图形处理器基于所述图形处理器可访问空间通过所述待测试存储器总线访问所述待测试存储器。

根据本公开的一实施例,所述中央处理器运行所述测试程序时控制所述图形处理器基于所述图形处理器可访问空间通过所述待测试存储器总线访问所述待测试存储器包括:所述中央处理器与所述图形处理器串行通过所述待测试存储器总线访问所述待测试存储器。

根据本公开的一实施例,所述待测试存储器总线为包括预定传输通道的高级可扩展接口协议总线;所述中央处理器与所述图形处理器串行通过所述待测试存储器总线访问所述待测试存储器包括:所述中央处理器与所述图形处理器根据所述测试程序串行通过所述预定传输通道访问所述待测试存储器。

根据本公开的一实施例,所述中央处理器运行所述测试程序时控制所述图形处理器基于所述图形处理器可访问空间通过所述待测试存储器总线访问所述待测试存储器包括:所述中央处理器基于开放式编程语言控制所述图形处理器根据所述测试程序以预定访问方式访问所述待测试存储器。

根据本公开的一实施例,所述中央处理器运行所述测试程序时控制所述图形处理器基于所述图形处理器可访问空间通过所述待测试存储器总线访问所述待测试存储器包括:所述中央处理器通过开放式图形程序接口控制所述图形处理器根据所述测试程序以预定访问方式访问所述待测试存储器。

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