[发明专利]半导体器件和放大器组件

权利要求书

1.一种多尔蒂放大器类型的半导体器件，其放大射频信号，所述半导体器件包括：

多个第一晶体管元件，其作为所述多尔蒂放大器的载波放大器工作，

多个第二晶体管元件，其作为所述多尔蒂放大器的峰值放大器工作；

半导体衬底，其上交替地设置有所述多个第一晶体管元件和所述多个第二晶体管元件；以及

布线层，其设置在所述半导体衬底上；

其中，所述布线层包括：

输入端子，其接收所述射频信号；

输出端子，其输出由所述半导体器件放大的所述射频信号；

输入线，其将所述输入端子与所述多个第一晶体管元件和所述多个第二晶体管元件连接，所述输入线包括第一输入线至第三输入线，所述第一输入线的一端与所述输入端子连接并且被均匀地分成第二输入线和所述第三输入线，所述第二输入线从所述第一输入线分支出来并且与所述多个第一晶体管元件连接，所述第三输入线从所述第一输入线分支出来并且与所述多个第二晶体管元件连接，

输出线，其将所述多个第一晶体管元件和所述多个第二晶体管元件与所述输出端子连接，所述输出线包括第一输出线至第三输出线，所述第一输出线的一端将所述第二输出线与所述第三输出线组合并且所述第一输出线的另一端与所述输出端子连接，所述第二输出线的一端与所述多个第二晶体管元件连接、并且所述第二输出线的另一端与所述第一输出线连接，所述第三输出线的一端与所述多个第一晶体管元件连接、并且所述第三输出线的另一端与所述第一输出线相连；

其中，所述第二输入线和所述第三输入线中的一者的一部分通过如下方式与所述第二输入线和所述第三输入线中的另一者相交：在与用于所述第二输入线和所述第三输入线中的所述另一者的金属层不同的另一金属层中形成所述第二输入线和所述第三输入线中的所述一者的所述一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述多个第一晶体管元件和所述多个第二晶体管元件交替地设置在所述半导体衬底上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第二输出线和所述第三输出线中的一者的一部分通过以下方式与所述第二输出线和所述第三输出线中的另一者相交：在与用于所述第二输入线和所述第三输入线中的所述另一者的金属层不同的另一金属层中形成所述第二输出线和所述第三输出线中的所述一者的所述一部分。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述布线层包括位于所述金属层和所述另一金属层之间的接地层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中，所述布线层的上表面包括接地岛，所述接地层与所述接地岛连接。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述多个第一晶体管元件和所述多个第二晶体管元件沿与连接所述输入端子和所述输出端子的线相交的方向排列成阵列。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述多个第一晶体管元件和所述多个第二晶体管元件沿与连接所述输入端子和所述输出端子的线相交的方向排列成之字形。