[发明专利]半导体器件和放大器组件

说明书

公开了一种半导体器件和实现所述半导体器件的放大器组件。所述半导体器件是一种多尔蒂放大器，包括用于多尔蒂放大器的载波放大器的第一晶体管元件和用于峰值放大器的第二晶体管元件。多尔蒂放大器的特征是第一晶体管元件和第二晶体管元件交替地设置在共用的半导体衬底上。

本申请是基于2018年11月13日提交的、申请号为201811346101.9、发明创造名称为“半导体器件和放大器组件”的中国专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求在2017年11月13日提交的日本专利申请JP2017-218488的优先权权益，本公开的全部内容通过引用合并在此。

技术领域

本发明涉及半导体器件和实施该半导体器件的放大器组件。

背景技术

作为WO2004/100215公布的国际专利申请已经公开了一种多尔蒂放大器(Dohertyamplifier)类型的功率放大器，其包括载波放大器和峰值放大器，其中该载波放大器对输入射频(RF)信号进行线性地操作，而峰值放大器在载波放大器饱和后工作。在其中公开的功率放大器包括额外的峰值放大器以用来增强其最大输出功率。

另一个公开的现有专利文献No.JP2005-303771A公开了一种多尔蒂放大器类型的功率放大器。其中公开的功率放大器在包括载波放大器的场效应晶体管(FET)的输出端提供电路，其中该电路反射来自该场效应晶体管的输出信号中包含的高次谐波。具体地，对于偶次谐波，该电路可以作为短路工作，或者对地面显示足够低的阻抗，而对于奇次谐波，该电路可以作为开路工作，或者对地面显示足够高的阻抗。包括峰值放大器的另一个场效应晶体管也伴随有反映场效应晶体管的输出射频信号中包含的高次谐波的电路。对于偶次谐波，该电路可以作为开路工作，或者对地面显示足够高的阻抗；而对于奇次谐波，该电路可以作为短路工作，或者对地面显示足够低的阻抗。

还有另一个公开的日本专利文献No.JP2015-115960A也公开了一种封装在提供接地平面的封装内的多尔蒂放大器，载波放大器和峰值放大器并排安装在接地平面上，其间具有屏蔽壁。屏蔽壁可以减少载波放大器和峰值放大器之间的耦合。

还有另一个公开的日本专利文献No.JP2007-274181A公开了一种半导体器件，其提供以之字形图案配置的多个半导体器件，以消散在半导体器件中产生的热量。

从低成本的观点来看，在通信系统中期望连续地提高放大器的效率，即，效率的提高不仅能够节省放大器本身的功耗，而且能够节省放大器冷却系统的功耗。一种节省功耗的技术是所谓的多尔蒂放大器，其包括对输入信号线性的操作的载波放大器和仅在该载波放大器饱和后工作的峰值放大器。多尔蒂放大器不仅可以提高最大输出功率的效率，还可以提高中等输出功率的效率。

随着传输容量的增加，最近的通信系统将其频带设置在毫米波长内。可在这样高频范围内工作的放大器不可避免地增加功耗。因为多尔蒂放大器仅在高输入功率时操作峰值放大器，独立于输入功率始终有效的载波放大器变得暴露在高温中。

发明内容

本发明的一方面涉及多尔蒂放大器类型的一种半导体器件，该半导体器件放大射频(RF)信号。该半导体器件包括多个第一晶体管元件以及多个第二晶体元件，所述多个第一晶体管元件作为多尔蒂放大器的载波放大器共同地工作，所述多个第二晶体管元件作为多尔蒂放大器的峰值放大器共同地工作。半导体器件的特征是第一晶体管元件和第二晶体管元件彼此相互交替地设置在共用的半导体衬底上。

本发明的另一个方面涉及一种放大射频信号的放大器组件。该放大器组件包括半导体器件和通过焊料凸块以面朝下设置的方式固定所述半导体器件的组件衬底。放大器组件的特征是第一晶体管和第二晶体管元件交替地设置在在第一晶体管元件和第二晶体管元件共用的半导体衬底上。

附图说明