[发明专利]集成电路装置

权利要求书

1.一种集成电路装置，其包括：

一第一多栅极主动区域，位于一基板上方；

一第二多栅极主动区域，位于该基板上方；

一第一栅极结构，位于该第一多栅极主动区域上方；

一第二栅极结构，位于该第二多栅极主动区域上方；以及

一介电部件，设置在介于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间，且该介电部件包括：

一无氧层，与该第一栅极结构以及该第二栅极结构接触；

一氧化硅层，位于该无氧层上方；以及

一过渡层，设置在介于该无氧层以及该氧化硅层之间，其中该过渡层的氧含量小于该氧化硅层的氧含量。